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Artículos Encontrados 5 registros  
1.
8 p, 1.5 MB 3D ordering at the liquid-solid polar interface of nanowires / Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Semiconductor Materials) ; Imbalzano, Giulio (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Computational Science and Modeling) ; Tappy, Nicolas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Semiconductor Materials) ; Alexander, Duncan T. L. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ghisalberti, Lea (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Semiconductor Materials) ; Ramasse, Quentin (University of Leeds. School of Physics and Astronomy) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Semiconductor Materials) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Semiconductor Materials) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Semiconductor Materials) ; Bienvenue, Sebastien (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Computational Science and Modeling) ; Hébert, Cécile (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ceriotti, Michele (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Computational Science and Modeling) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratory of Semiconductor Materials)
The nature of the liquid-solid interface determines the characteristics of a variety of physical phenomena, including catalysis, electrochemistry, lubrication, and crystal growth. Most of the established models for crystal growth are based on macroscopic thermodynamics, neglecting the atomistic nature of the liquid-solid interface. [...]
2020 - 10.1002/adma.202001030
Advanced materials, Vol. 32, issue 38 (Sep. 2020) , art. 2001030  
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2.
10 p, 3.8 MB GaAs nanoscale membranes : prospects for seamless integration of III-Vs on silicon / Raya, Andrés M. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Alén, Benito (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Morgan, Nicholas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Ramasse, Quentin (University of Leeds. School of Physics) ; Fuster, David (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Llorens, José M. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics)
The growth of compound semiconductors on silicon has been widely sought after for decades, but reliable methods for defect-free combination of these materials have remained elusive. Recently, interconnected GaAs nanoscale membranes have been used as templates for the scalable integration of nanowire networks on III-V substrates. [...]
2020 - 10.1039/c9nr08453c
Nanoscale, Vol. 12, issue 2 (2020) , p. 815-824  
Registro completo - Creative Commons
3.
9 p, 1.2 MB Segregation scheme of indium in AlGaInAs nanowire shells / Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Di Russo, Enrico (Université de Rouen) ; Escobar Steinvall, Simon (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Segura Ruiz, Jaime (European Synchrotron Radiation Facility) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Rigutti, Lorenzo (Université de Rouen) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Quaternary alloys enable the independent optimization of different semiconductor properties, such as the separate tuning of the band gap and the lattice constant. Nanowire core-shell structures should allow a larger range of compositional tuning as strain can be accommodated in a more effective manner than in thin films. [...]
2019 - 10.1103/PhysRevMaterials.3.023001
Physical review materials, Vol. 3, Issue 2 (February 2019) , art. 23001  
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4.
8 p, 4.8 MB III-V Integration on Si(100) : Vertical Nanospades / Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia, Oscar (Universitat Politècnica de Catalunya) ; Boscardin, Mégane (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Vindice, David (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tappy, Nicolas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Balgarkashi, Akshay (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
III-V integration on Si(100) is a challenge: controlled vertical vapor liquid solid nanowire growth on this platform has not been reported so far. Here we demonstrate an atypical GaAs vertical nanostructure on Si(100), coined nanospade, obtained by a nonconventional droplet catalyst pinning. [...]
2019 - 10.1021/acsnano.9b01546
ACS nano, Vol. 13, Issue 5 (May 2019) , p. 5833-5840  
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5.
22 p, 2.5 MB Optimizing the yield of A-polar GaAs nanowires to achieve defect-free zinc blende structure and enhanced optical functionality / Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Ghisalberti, Lea (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Markov, Edoardo. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Compound semiconductors exhibit an intrinsic polarity, as a consequence of the ionicity of their bonds. Nanowires grow mostly along the (111) direction for energetic reasons. Arsenide and phosphide nanowires grow along (111)B, implying a group V termination of the (111) bilayers. [...]
2018 - 10.1039/c8nr05787g
Nanoscale, Vol. 10, Issue 36 (September 2018) , p. 17080-17091  
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