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8 p, 9.3 MB Position-controlled growth of GaN nanowires and nanotubes on diamond by molecular beam epitaxy / Schuster, Fabian (Walter Schottky Institut, Physics Department, Technische Universität München) ; Hetzl, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; Weiszer, Saskia (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; Garrido Ariza, José A. (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Magén, César (Universidad de Zaragoza. Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Stutzmann, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró
In this work the position-controlled growth of GaN nanowires (NWs) on diamond by means of molecular beam epitaxy is investigated. In terms of growth, diamond can be seen as a model substrate, providing information of systematic relevance also for other substrates. [...]
2015 - 10.1021/nl504446r
Nano letters, Vol. 15, issue 3 (Nov. 2015) , p. 1773-1779  
2.
15 p, 3.9 MB UV Photosensing Characteristics of Nanowire-Based GaN/AlN Superlattices / Lähnemann, Jonas (University Grenoble Alpes) ; Den Hertog, Martien (Institut Nèel (Grenoble, França)) ; Hille, Pascal (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; De La Mata, Maria (Institut Catalá de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fournier, Thierry (Institut Nèel (Grenoble, França)) ; Schörmann, Jörg (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; Monroy, Eva (University Grenoble Alpes)
We have characterized the photodetection capabilities of single GaN nanowires incorporating 20 periods of AlN/GaN:Ge axial heterostructures enveloped in an AlN shell. Transmission electron microscopy confirms the absence of an additional GaN shell around the heterostructures. [...]
2016 - 10.1021/acs.nanolett.6b00806
Nano Letters, Vol. 16, Num. 5 (May 2016) , p. 3260-3267  

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