Home > Search Results: Goñi, Alejandro R.
  Search Tips
Advanced Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
Results overview: Found 3 records in 0.02 seconds.
Articles, 3 records found
Articles 3 records found  
1.
65 p, 1.8 MB Inductively coupled remote plasma-enhanced chemical vapor deposition (rPE-CVD) as a versatile route for the deposition of graphene micro- and nanostructures / González Cuxart, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Šics, Igors (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Pach, Elzbieta (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Paradinas Aranjuelo, Marcos (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Moreno Fernández, Harol Aníbal (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Carlino, Vincent (Ibss Group Inc) ; Pellegrin, Eric (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró)
Multiple layers of graphene thin films with micro-crystalline orientation and vertical graphene nano-sheets were grown on different substrates (i. e. , polycrystalline nickel foil, Ni(111), highly oriented pyrolytic graphite) using a single-step process based on low-pressure remote Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (rPE-CVD). [...]
2017 - 10.1016/j.carbon.2017.02.067
Carbon, Vol. 117 (June 2017) , p. 331-342  
Detailed record - Creative Commons
2.
12 p, 3.0 MB Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement / Vaccaro, Pablo Oscar (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gutiérrez, Joffre (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Peró, Damià (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Wagner, Markus R.. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Reparaz, Juan Sebastian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vidal, Xavier (Macquarie University. Department of Physics and Astronomy) ; Carter, E. A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ; Lay, P. A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ; Yoshimoto, M. (Kyoto Institute of Technology) ; Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We deposited Ge layers on (001) Si substrates by molecular beam epitaxy and used them to fabricate suspended membranes with high uniaxial tensile strain. We demonstrate a CMOS-compatible fabrication strategy to increase strain concentration and to eliminate the Ge buffer layer near the Ge/Si hetero-interface deposited at low temperature. [...]
2018 - 10.1063/1.5050674
AIP advances, Vol. 8, issue 11 (November 2018) , art. 115131  
Detailed record - Creative Commons
3.
11 p, 2.2 MB Thermal transport in epitaxial Si1-xGe x alloy nanowires with varying composition and morphology / Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Reparaz, Juan Sebastian (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Spiece, J. (Lancaster University) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Vaccaro, Pablo Oscar (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Wagner, Markus R.. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kolosov, O. V. (Lancaster University) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
We report on structural, compositional, and thermal characterization of self-assembled in-plane epitaxial SiGe alloy nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si (001) substrates. The thermal properties were studied by means of scanning thermal microscopy (SThM), while the microstructural characteristics, the spatial distribution of the elemental composition of the alloy nanowires and the sample surface were investigated by transmission electron microscopy and energy dispersive x-ray microanalysis. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9497
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 50 (December 2017) , art. 505704  
Detailed record - Creative Commons

See also: similar author names
1 Goñi, A.
2 Goñi, A.R.
1 Goñi, Alai
6 Goñi, Alejandro
7 Goñi, Alejandro,
Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.
UAB Digital Repository of Documents :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.6
Maintained by ddd.bib@uab.cat  :: Metadata license:
Working with