Results overview: Found 74 records in 0.02 seconds.
Articles, 32 records found
Research literature, 7 records found
Course materials, 35 records found
Articles 32 records found  1 - 10nextend  jump to record:
1.
18 p, 5.3 MB Self-organizing neural networks based on OxRAM devices under a fully unsupervised training scheme / Pedró, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro Izquierdo, Marcos (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A fully-unsupervised learning algorithm for reaching self-organization in neuromorphic architectures is provided in this work. We experimentally demonstrate spike-timing dependent plasticity (STDP) in Oxide-based Resistive Random Access Memory (OxRAM) devices, and propose a set of waveforms in order to induce symmetric conductivity changes. [...]
2019 - 10.3390/ma12213482
Materials, Vol. 12, Issue 21 (November 2019) , art. 3482  
2.
21 p, 746.1 KB Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor / Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontserè Recuenco, Abel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria) ; Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering) ; Gammon, P.M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Jennings, M.R. (University of Warwick. School of Engineering) ; Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Fisher, C.A. (University of Warwick. School of Engineering) ; Sharma, Y.K. (University of Warwick. School of Engineering) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Chmielowska, M. (Centre national de la recherche scientifique. Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique. Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique. Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. [...]
2015 - 10.1088/0957-4484/26/11/115203
Nanotechnology, Vol. 26, Issue 11 (March 2015) , art. 115203  
3.
9 p, 644.4 KB Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. [...]
2011 - 10.1186/1556-276X-6-108
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108  
4.
12 p, 2.7 MB Numerical study of hydrodynamic forces for AFM operations in liquid / Berthold, Tobias (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Benstetter, Guenther (Deggendorf Institute of Technology) ; Frammelsberger, Werner (Deggendorf Institute of Technology) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona)
For advanced atomic force microscopy (AFM) investigation of chemical surface modifications or very soft organic sample surfaces, the AFM probe tip needs to be operated in a liquid environment because any attractive or repulsive forces influenced by the measurement environment could obscure molecular forces. [...]
2017 - 10.1155/2017/6286595
Scanning, Vol. 2017 (2017) , art. 6286595  
5.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
6.
5 p, 993.1 KB Grain boundaries as preferential sites for Resistive Switching in the HfO2 RRAM structures / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Liu, L. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Kang, J. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Gilmer, D. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
Resistive switching (RS) phenomenon in the HfO2 dielectric has been indirectly observed at device level in previous studies using metal-insulator-metal structures, but its origin remains unclear. In this work, using the enhanced conductive atomic force microscope (ECAFM), we have been able to obtain in situ direct observation of RS with nanometric resolution. [...]
2012 - 10.1063/1.3697648
Applied physics letters, Vol. 100, Issue 12 (March 2012) , p. 123508-1-123508-4  
7.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Díaz Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  
8.
4 p, 3.8 MB Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements / Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cordes, A. (SEMATECH, United States) ; G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643  
9.
5 p, 2.7 MB Current-limiting and ultrafast system for the characterization of resistive random access memories. / Díaz Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
2016 - 10.1063/1.4954973
Review of scientific instruments, Vol. 87, Issue 6 (June 2016) , p. 64705  
10.
5 p, 939.8 KB Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach / Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202  

Articles : 32 records found   1 - 10nextend  jump to record:
Research literature 7 records found  
1.
121 p, 5.1 MB Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications / Pedró Puig, Marta, autor ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació neuromòrfica basades en aprenentatge no-supervisat, àmpliament demandades en l'actualitat com a solució de baix consum a les següents problemàtiques: per una banda, la limitació de la velocitat en la transferència de dades entre les unitats de memoria i processament que té lloc en les arquitectures de computador convencional (von Neumann). [...]
The present thesis compiles the results of the research oriented to provide a methodology for the electrical characterization, modeling and simulation of resistive switching devices, taking into consideration neuromorphic applications based on unsupervised learning This is widely demanded today as a low-consumption solution to the following issues: on the one hand, the speed limitations that take place in data transfer between the memory and processing units that takes place in conventional computer architectures. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
2.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel, autor. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic. ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
3.
160 p, 6.8 MB TCAD study of interface traps-related variability in ultra-scaled MOSFETs / Velayudhan, Vikas, autor ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El trabajo desarrollado en esta tesis se ha enfocado en el análisis y estudio del impacto que tienen en la variabilidad de MOSFETs ultraescalados el número y la distribución espacial de las trampas interficiales. [...]
The work developed in this thesis has focused on the analysis and study of the impact on the variability of ultra-scaled MOSFETs due to the number and spatial distribution of interfacial traps. In the study, the number of locations where traps were located were randomly varied, but the total charge in the entire device was always maintained constant. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
4.
131 p, 7.4 MB Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats / Ayala Cintas, Núria ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant el treball de tesi s'ha permès ampliar una línia d'investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d'Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), dedicada a la fiabilitat del transistors MOSFET nanoelectrònics. [...]
This thesis was carried out within one of the several lines of investigation of the REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) from Department of Electronic Engineering, located at the Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), which marks its research activities. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
5.
89 p, 1.1 MB Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS / Vileta Incausa, José Carlos ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011  
6.
38 p, 1.8 MB Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM / Porti i Pujal, Marc ; Aymerich Humet, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. [...]
The progressive decrease of the gate oxide (SiO2) thickness in MOS devices without the corresponding bias voltages scaling, has provoked the appearance of failure mechanisms (hard breakdown, HBD; soft breakdown, SBD; progressive breakdown, PBD; and the stress induced leakage current, SILC) that limit the oxide reliability. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003
3 documents
7.
64 p, 4.0 MB Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM : SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat / Blasco Jiménez, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions d'interès dels dispositius han entrat profundament en el rang nanomètric. [...]
Desde sus inicios hace unas cuatro décadas, la tecnología microelectrónica ha ido reduciendo continuamente las dimensiones de los dispositivos, para ofrecer mejores prestaciones. Actualmente las dimensiones de interés de los dispositivos han entrado profundamente en el rango nanométrico. [...]
Since its early days, microelectronics has always searched for smaller devices in order to increase the performance of its products. At present, this means that the dimensions of the electronic devices have deeply entered into the nanometric range. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006
2 documents

Course materials 35 records found  1 - 10nextend  jump to record:
1.
4 p, 77.3 KB Caracterització Elèctrica i Fiabilitat [43431] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
This module aims to address the electrical characterization in nanoelectronic devices to assess their performance and reliability.
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]  
2.
5 p, 81.2 KB Instrumentació II [102735] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure el principi de funcionament dels conversors A/D i D/A, de les tarjes d'adquisició de dades i de diferents instruments electrònics de propòsit general, per introduir les especificacions que els caracteritzen, així com delimitar els errors que poden cometre's en una mesura. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
3.
5 p, 79.9 KB Instrumentació I [102736] / Porti Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
2017-18
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
4.
5 p, 83.4 KB Electrònica Analògica [102688] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Maria Aránzazu ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure les principals característiques i fer servir els components i circuits bàsics de l'electrònica analògica. Analitzar les característiques de resposta temporal i frequencial dels circuits i components analògics bàsics. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
5.
4 p, 75.6 KB Instrumentació I [102736] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
2016-17
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
6.
5 p, 78.8 KB Electrònica Analògica [102688] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure les principals característiques i fer servir els components i circuits bàsics de l'electrònica analògica. Analitzar les característiques de resposta temporal i frequencial dels circuits i components analògics bàsics. [...]
2016-17
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
7.
4 p, 27.0 KB Instrumentació I [102736] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
2015-16
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
8.
4 p, 27.0 KB Electrònica Analògica [102688] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure les principals característiques i fer servir els components i circuits bàsics de la electrònica analògica. Analitzar les característiques de resposta temporal i frequencial dels circuits i components analògics bàsics. [...]
2015-16
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
9.
4 p, 103.0 KB Instrumentació I [102736] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
2014-15
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
10.
4 p, 103.3 KB Electrònica Analògica [102688] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure les principals característiques i fer servir els components i circuits bàsics de la electrònica analògica. Analitzar les característiques de resposta temporal i frequencial dels circuits i components analògics bàsics. [...]
2014-15
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  

Course materials : 35 records found   1 - 10nextend  jump to record:
Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.