1.
|
11 p, 6.0 MB |
A pre-time-zero spatiotemporal microscopy technique for the ultrasensitive determination of the thermal diffusivity of thin films
/
Varghese, Sebin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Mehew, Jake Dudley (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Block, Alexander (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Woźniak, Pawel (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Farris, Roberta (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Zanolli, Zeila (Utrecht University) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Verstraete, Matthieu J. (Université de Liège) ;
van Hulst, Niek F.. (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Tielrooij, Klaas-Jan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Diffusion is one of the most ubiquitous transport phenomena in nature. Experimentally, it can be tracked by following point spreading in space and time. Here, we introduce a spatiotemporal pump-probe microscopy technique that exploits the residual spatial temperature profile obtained through the transient reflectivity when probe pulses arrive before pump pulses. [...]
2023 - 10.1063/5.0102855
Review of Scientific Instruments, Vol. 94, Issue 3 (March 2023) , art. 34903
|
|
2.
|
12 p, 1.6 MB |
Device-to-Materials Pathway for Electron Traps Detection in Amorphous GeSe-Based Selectors
/
Slassi, Amine (CNR-NANO Istituto Nanoscienze) ;
Medondjio, Linda-Sheila (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Padovani, Andrea (University of Modena and Reggio Emilia) ;
Tavanti, Francesco (CNR-NANO Istituto Nanoscienze) ;
He, Xu (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Clima, Sergiu (IMEC) ;
Garbin, Daniele (IMEC) ;
Kaczer, Ben (IMEC) ;
Larcher, Luca (Applied Materials Italia) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Calzolari, Arrigo (CNR-NANO Istituto Nanoscienze)
The choice of the ideal material employed in selector devices is a tough task both from the theoretical and experimental side, especially due to the lack of a synergistic approach between techniques able to correlate specific material properties with device characteristics. [...]
2023 - 10.1002/aelm.202201224
Advanced Electronic Materials, Vol. 9, Issue 4 (April 2023) , art. 2201224
|
|
3.
|
|
4.
|
17 p, 1.8 MB |
Modular implementation of the linear- and cubic-scaling orbital minimization methods in electronic structure codes using atomic orbitals
/
Lebedeva, Irina V. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garcia, Alberto (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Artacho, Emilio (Ikerbasque. Basque Foundation for Science) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We present a code modularization approach to design efficient and massively parallel cubic- and linear-scaling solvers for electronic structure calculations using atomic orbitals. The modular implementation of the orbital minimization method, in which linear algebra and parallelization issues are handled via external libraries, is demonstrated in the SIESTA code. [...]
2023 - 10.1098/rsos.230063
Royal Society Open Science, Vol. 10, Issue 4 (April 2023) , art. 230063
|
|
5.
|
|
6.
|
|
7.
|
6 p, 1.2 MB |
Electrical control of spin-polarized topological currents in monolayer WTe2
/
Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
You, Jinxuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
García-Mota, Mónica (Simune Atomistics S.L.) ;
Koval, Peter (Simune Atomistics S.L.) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cuadrado, Ramón (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Verstraete, Matthieu J. (Université de Liège. Complex and Entangled Systems from Atoms to Materials) ;
Zanolli, Zeila (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We evidence the possibility for coherent electrical manipulation of the spin orientation of topologically protected edge states in a low-symmetry quantum spin Hall insulator. By using a combination of ab initio simulations, symmetry-based modeling, and large-scale calculations of the spin Hall conductivity, it is shown that small electric fields can efficiently vary the spin textures of edge currents in monolayer 1T'-WTe2 by up to a 90-degree spin rotation, without jeopardizing their topological character. [...]
2022 - 10.1103/PhysRevB.106.L161410
Physical review B, Vol. 106, issue 16 (Oct. 2022) , art. L161410
|
|
8.
|
9 p, 2.0 MB |
Unraveling heat transport and dissipation in suspended MoSe2 from bulk to monolayer
/
Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Varghese, Sebin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Farris, Roberta (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Block, Alexander (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Mehew, Jake D. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Hellman, Olle (Weizmann Institute of Science (Israel). Department of Molecular Chemistry and Materials Science) ;
Woźniak, Pawel (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
van Hulst, Niek F.. (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Zanolli, Zeila (Debye Institute for Nanomaterials Science) ;
Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Verstraete, Matthieu J. (European Theoretical Spectroscopy Facility) ;
Tielrooij, Klaas-Jan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Understanding heat flow in layered transition metal dichalcogenide (TMD) crystals is crucial for applications exploiting these materials. Despite significant efforts, several basic thermal transport properties of TMDs are currently not well understood, in particular how transport is affected by material thickness and the material's environment. [...]
2022 - 10.1002/adma.202108352
Advanced materials, Vol. 34, issue 10 (March 2022) , art. 2108352
|
|
9.
|
10 p, 15.3 MB |
Tuning the topological band gap of bismuthene with silicon-based substrates
/
Wittemeier, Nils (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Zanolli, Zeila (Utrecht University. Chemistry Department)
Some metastable polymorphs of bismuth monolayers (bismuthene) can host non-trivial topological phases. However, it remains unclear whether these polymorphs can become stable through interaction with a substrate, whether their topological properties are preserved, and how to design an optimal substrate to make the topological phase more robust. [...]
2022 - 10.1088/2515-7639/ac84ad
JPhys materials, Vol. 5, issue 3 (July. 2022) , art. 35002
|
|
10.
|
9 p, 2.8 MB |
Atomically sharp lateral superlattice heterojunctions built-in nitrogen-doped nanoporous graphene
/
Tenorio, María José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Moreno, Cesar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Febrer Calabozo, Pol (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Castro-Esteban, Jesús (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Orgánica) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Peña, Diego (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Orgánica) ;
Pruneda, Miguel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Nanometer scale lateral heterostructures with atomically sharp band discontinuities can be conceived as the 2D analogues of vertical Van der Waals heterostructures, where pristine properties of each component coexist with interfacial phenomena that result in a variety of exotic quantum phenomena. [...]
2022 - 10.1002/adma.202110099
Advanced materials, Vol. 34, issue 20 (May 2022) , art. 2110099
|
|