Página principal > Resultados de la búsqueda: Sánchez Barrera, Florencio
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 24 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 17 registros
Documentos de investigación, Encontrados 7 registros
Artículos Encontrados 17 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
25 p, 1.2 MB Control of the polarization of ferroelectric capacitors by the concurrent action of light and adsorbates / Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rappe, Andrew M. (University of Pennsylvania. Department of Chemistry) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric perovskites hold promise of enhanced photovoltaic efficiency and photocatalytic activity. Consequently, the photoresponse of oxide ferroelectric thin films is an active field of research. [...]
2018 - 10.1021/acsami.8b05751
ACS applied materials & interfaces, Vol. 10, issue 28 (July 2018) , p. 23968-23975  
Registro completo -
2.
14 p, 542.4 KB Reversible and magnetically unassisted voltage-driven switching of magnetization in FeRh/PMN-PT / Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Martí, Xavier (Academy of Sciences of the Czech Republic. Institute of Physics) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Reversible control of magnetization by electric fields without assistance from a subsidiary magnetic field or electric current could help reduce the power consumption in spintronic devices. When increasing temperature above room temperature, FeRh displays an uncommon antiferromagnetic to ferromagnetic phase transition linked to a unit cell volume expansion. [...]
2018 - 10.1063/1.5040184
Applied physics letters, Vol. 113, Issue 15 (October 2018) , art. 152901  
Registro completo -
3.
36 p, 1.8 MB Independent Tuning of Optical Transparency Window and Electrical Properties of Epitaxial SrVO3 Thin Films by Substrate Mismatch / Mirjolet, Mathieu (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Vasili, Hari Babu (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; López Conesa, Lluís (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Machado, Pamela (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gargiani, Pierluigi (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Transparent metallic oxides are pivotal materials in information technology, photovoltaics, or even in architecture. They display the rare combination of metallicity and transparency in the visible range because of weak interband photon absorption and weak screening of free carriers to impinging light. [...]
2019 - 10.1002/adfm.201904238
Advanced functional materials, Vol. 29, Issue 37 (September 2019) , art. 1904238  
Registro completo -
4.
10 p, 1.8 MB Monolithic integration of room-temperature multifunctional BaTiO 3 -CoFe 2 O 4 epitaxial heterostructures on Si(001) / Scigaj, Mateusz (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Dix, Nico (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela del Arco, María (Universidad Complutense de Madrid) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The multifunctional (ferromagnetic and ferroelectric) response at room temperature that is elusive in single phase multiferroic materials can be achieved in a proper combination of ferroelectric perovskites and ferrimagnetic spinel oxides in horizontal heterostructures. [...]
2016 - 10.1038/srep31870
Scientific reports, Vol. 6 (August 2016) , art. 31870  
Registro completo - Creative Commons
5.
93 p, 11.3 MB Towards Oxide Electronics : a Roadmap / Coll, Mariona (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Althammer, Matthias (Technische Universität München. Physik Department) ; Bibes, Manuel (Unité Mixte de Physique) ; Boschker, Hans (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Calleja, Ana (OXOLUTIA S.L.) ; Cheng, Guanglei (Pittsburgh Quantum Institute) ; Cuoco, Mario (Università di Salerno) ; Dittmann, Regina (Peter Grünberg Institut) ; Dkhil, Brahim (Université Paris-Saclay) ; El Baggari, Ismail (Cornell University) ; Fanciulli, Marco (University of Milano Bicocca. Department of Materials Science) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fortunato, Elvira (CEMOP/UNINOVA) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fujita, Shizuo (Kyoto University) ; Garcia, Vincent (Unité Mixte de Physique) ; Goennenwein, Sebastian T. B. (Technische Universität Dresden) ; Granqvist, Claes Göran (Upp sala University) ; Grollier, Julie (Unité Mixte de Physique) ; Gross, Rudolf (Nanosystems Initiative Munich (NIM)) ; Hagfeldt, Anders (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hono, Kazuhiro (National Institute for Materials Science) ; Houwman, Evert (University of Twente) ; Huijben, Mark (University of Twente) ; Kalaboukhov, Aleksey (MC2. Chalmers University of Technology) ; Keeble, David J. (University of Dundee) ; Koster, Gertjan (University of Twente) ; Kourkoutis, Lena Fitting (Cornell University) ; Levy, Jeremy (Pittsburgh Quantum Institute) ; Lira-Cantu, Monica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; MacManus-Driscoll, Judith L. (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Mannhart, Jochen (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Martins, Rodrigo (MDM Laboratory) ; Menzel, Stephan (Pittsburgh Quantum Institute) ; Mikolajick, Thomas (Chair of Nanoelectronic Materials) ; Napari, Mari (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Nguyen, Duc Minh (University of Twente) ; Niklasson, Gunnar A. (Uppsala University) ; Paillard, Charles (University of Arkansas. Physics Department) ; Panigrahi, Shrabani (CEMOP/UNINOVA) ; Rijnders, Guus (University of Twente) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sanchis Kilders, Pablo (Universitat Politècnica de València) ; Sanna, S. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Schlom, Darrell G (Cornell University. Department of Material Science and Engineering) ; Schroeder, U. (NaMLab gGmbH) ; Shen, K. M. (Cornell University. Department of Physics) ; Siemon, A. (Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik) ; Spreitzer, M. (Jožef Stefan Institute) ; Sukegawa, H. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials) ; Tamayo, R. (OXOLUTIA S.L.) ; van den Brink, J. (Institute for Theoretical Solid State Physics) ; Pryds, N. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Granozio, F. M. (CNR-SPIN. Naples Unit)
At the end of a rush lasting over half a century, in which CMOS technology has been experiencing a constant and breathtaking increase of device speed and density, Moore's law is approaching the insurmountable barrier given by the ultimate atomic nature of matter. [...]
2019 - 10.1016/j.apsusc.2019.03.312
Applied surface science, Vol. 482 (July 2019) , p. 1-93  
Registro completo - Creative Commons
6.
21 p, 2.1 MB Electric-field adjustable time-dependent magnetoelectric response in martensitic FeRh alloy / Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Padilla-Pantoja, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martí Rovirosa, Xavier (Fyzikální ústav AV ČR) ; Macià, Ferran (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Steady or dynamic magnetoelectric response, selectable and adjustable by only varying the amplitude of the applied electric field, is found in a multiferroic FeRh/PMN-PT device. In-operando time-dependent structural, ferroelectric, and magnetoelectric characterizations provide evidence that, as in magnetic shape memory martensitic alloys, the observed distinctive magnetoelectric responses are related to the time-dependent relative abundance of antiferromagnetic-ferromagnetic phases in FeRh, unbalanced by voltage-controlled strain. [...]
2017 - 10.1021/acsami.7b00476
ACS applied materials & interfaces, Vol. 9, issue 18 (May 2017) , p.15577−15582  
Registro completo -
7.
8 p, 963.0 KB Engineering two-dimensional superconductivity and Rashba spin-orbit coupling in LaAlO/SrTiO quantum wells by selective orbital occupancy / Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Singh, Gyanendra (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Bergeal, Nicolas (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Jouan, Alexis (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Lesueur, Jérôme (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela del Arco, María (Universidad Complutense de Madrid. Departamento de Física de la Tierra y Astrofísica) ; Scigaj, Mateusz (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Dix, Nico (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The discovery of two-dimensional electron gases (2DEGs) at oxide interfaces-involving electrons in narrow d -bands-has broken new ground, enabling the access to correlated states that are unreachable in conventional semiconductors based on s - and p - electrons. [...]
2015 - 10.1038/ncomms7028
Nature communications, Vol. 6 (Jan. 2015) , art. 6028  
Registro completo - Creative Commons
8.
2 p, 403.5 KB Òxids ferroelèctrics sobre oblees de silici per a noves memòries / Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Algunes de les memòries actualment en ús en dispositius electrònics es basen en materials aïllants ferroelèctrics, que emmagatzemen la informació de manera permanent. No obstant això contenen òxids, com els compostos de plom, que són tòxics. [...]
Algunas de las memorias actualmente usadas en dispositivos electrónico se basan en materiales aislantes ferroeléctricos que permiten almacenar la información de manera permanente. Sin embargo contienen óxidos, como compuestos de plomo, que son tóxicos. [...]
Some of the memories currently used in electronic devices are based on ferroelectric insulating materials that permit non-volatile storing of information. However, they contain toxic oxides, such as lead-compounds. [...]
2017
UAB divulga, Octubre 2017, p. 1-3
3 documentos
Registro completo - Creative Commons
9.
4 p, 539.9 KB Exchange biasing and electric polarization with YMnO3 / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hrabovsky, D. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ruyter, A. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Laukhin, V. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; García-Cuenca Varona, María Victoria (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Vilà, A. (Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica) ; Lüders, Ulrike Anne (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; Bobo, Jean-François (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; American Physical Society
We report on the growth and functional characterizations of epitaxialthin films of the multiferroic YMnO3. We show that using Pt as a seed layer on SrTiO3(111) substrates, epitaxialYMnO3films (0001) textured are obtained. [...]
2006 - 10.1063/1.2234285
Applied physics letters, Vol. 89, Issue 3 (July 2006) , p. 032510/1-032510/3  
Registro completo -
10.
4 p, 484.5 KB Strain tuned magnetoelectric coupling in orthorhombic YMnO3 thin films / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Orthorhombic YMnO3epitaxialthin films were grown on Nb(0. 5%)-doped SrTiO3(001) substrates. Film's thickness was varied to tune the epitaxial strain. Structural and magnetic properties are well correlated, presenting a more pronounced ferromagnetic behavior as the unit cell becomes more distorted. [...]
2009 - 10.1063/1.3238287
Applied physics letters, Vol. 95, Issue 14 (October 2009) , p. 142903/1-142903/3  
Registro completo -

Artículos : Encontrados 17 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 7 registros  
1.
197 p, 11.3 MB Doping and interface effects on the ferroelectric properties of epitaxial HfO2-based thin films / Song, Tingfeng ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. ; Fina, Ignasi, dir. ; Pellicer Vilà, Eva Maria, dir.
Les capas fines ferroeléctricas basades en HfO2, a causa de la seva alta escalabilidad i a la seva compatibilitat amb processos complementary metal oxide semiconductor - CMOS, han centrat un gran interès en el camp dels dispositius de memòria. [...]
Las capas finas ferroeléctricas basadas en HfO2, debido a su alta escalabilidad y a la compatibilidad con los procesos complementary metal oxide semiconductor - CMOS, han centrado un gran interés en el campo de los dispositivos de memoria. [...]
Ferroelectric HfO2-based thin films have aroused great interest in the research field of memory devices, because it is a complementary metal oxide semiconductor compatible material with excellent scalability. [...]
2022  
Registro completo - Creative Commons
2.
167 p, 5.6 MB Nanoscale Study of Epitaxial Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films and BaTiO3/SrTiO3 Superlattices / Estandía Rodríguez, Saúl ; Gázquez Alabart, Jaume, dir. ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. ; Lopeandía Fernández, Aitor, dir.
La ferroelectricitat es una propiedat functional que trova aplicacions en dispositius microelectronics com les memories no volatils. En aquesta tesi se han estudit les propiedats ferroelectriques de capes primes nanométriques y supexarxes combinant técniques de caracterizació macroscópiques y nanoscópiques. [...]
La ferroelectricidad es una propiedad funcional que encuentra aplicaciones en dispositivos microelectrónicos tales como las memorias no volátiles. En esta tesis se han estudiado las propiedades ferroeléctricas de capas finas nanométricas y superredes combinando técnicas de caracterización macroscópicas y nanoscópicas. [...]
Ferroelectricity is a functional property that can be exploited in microelectronics devices such as non-volatile memories. In this thesis, the ferroelectric properties of nanometric thin films and superlattices have been studied by combining macroscopic and nanoscale characterization techniques. [...]
2021  
Registro completo - Creative Commons
3.
190 p, 16.5 MB Epitaxial Ferroelectric Thin Films on Si(001) : strain tuning of BaTiO3 and stabilization of polar phase in Hf0.5Zr0.5O2 / Lyu, Jike ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Vegeu resumjily1de1. pdf.
Vegeu resumjily1de1. pdf.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.
2 documentos
Registro completo - Creative Commons
4.
167 p, 7.9 MB Preparation and characterization of biferroic nanostructures with magneto-electric coupling / Dix, Nico ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
Els òxids complexos, particularment aquells que tenen estructura perovskita, presenten un ampli espectre de propietats funcionals. En l'ultima dècada s'ha posat molta atenció en materials que poden mostrar simultàniament diversos ordres ferroics, en particular: ferroelectricitat i ferromagnetisme. [...]
Los óxidos complejos presentan tienen un amplio espectro de propiedades funcionales. En la última década se ha prestado atención a materiales que pueden mostrar simultáneamente varios órdenes ferróicos, en particular ferroelectricidad y ferromagnetismo. [...]
Complex oxides present a broad spectrum of functional properties. In the last decade special attention was directed to materials with a possible coexistence of two or more ferroic orders (i. e. ferroelectric and ferromagnetic order). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
Registro completo - Creative Commons
5.
178 p, 9.7 MB Functional oxide films and interfaces: ferroelectric BaTiO₃ films on Si(001) and conducting (110) and (111) LaAlO₃/SrTiO₃ interfaces / Ścigaj, Mateusz ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Herranz Casabona, Gervasi, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
La tesis aborda la integración monolítica de óxidos funcionales sobre silicio y la exploración de intercaras entre SrTiO3(110), SrTiO3(111) y otros óxidos En primer lugar la tesis detalla la integración monolítica del BaTiO3 en silicio, la plataforma actual en microelectrónica. [...]
In this thesis the focus was aimed to the monolithic integration of functional oxides on silicon and to the exploration of interfaces between different oxides and the SrTiO3(110) and SrTiO3 (111) surfaces. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
Registro completo - Creative Commons
6.
158 p, 3.8 MB Integration of ferrimagnetic CoFe₂O₄ epitaxial films with silicon / de Coux González, Patricia ; Warot-Fonrose, Bénédicte, dir. (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El continuo progreso en microelectrónica se debe al crecimiento exponencial con el tiempo del número de transistores por circuito integrado, dependencia conocida como ley de Moore. Esta ley se sigue cumpliendo, pero se va acercando a límites intrínsecos. [...]
Microelectronics is progressing continuously by the exponential growth with time of the number of transistors per integrated circuit, the popularly known as "Moore's Law". This law is still valid but it is approaching intrinsic limits. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registro completo -
7.
310 p, 6.1 MB (001) and (110) La⅔Ca⅓MnO₃ epitaxial ferromagnetic electrodes : un estudi comparatiu / Cañero Infante, Ingrid ; Fontcuberta, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Vegeu iciresum1de1. pdf.
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2009
2 documentos
Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos