Results overview: Found 5 records in 0.02 seconds.
Articles, 3 records found
Research literature, 2 records found
Articles 3 records found  
1.
14 p, 417.1 KB Enabling electromechanical transduction in silicon nanowire mechanical resonators fabricated by focused ion beam implantation / Llobet Sixto, Jordi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sansa Perna, Marc (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Gerbolés, M. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Mestres i Andreu, Narcís (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Borrisé, Xavier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Pérez Murano, Francesc (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
We present the fabrication of silicon nanowire (SiNW) mechanical resonators by a resistless process based on focused ion beam local gallium implantation, selective silicon etching and diffusive boron doping. [...]
2014 - 10.1088/0957-4484/25/13/135302
Nanotechnology, Vol. 25, issue 13 (April 2014) , art. 135302  
2.
6 p, 1.1 MB Evaluating the compressive stress generated during fabrication of Si doubly clamped nanobeams with AFM / Lorenzoni, Matteo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Llobet Sixto, Jordi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Gramazio, Federico (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sansa Perna, Marc (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Fraxedas, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Pérez Murano, Francesc (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
In this work, the authors employed Peak Force tapping and force spectroscopy to evaluate the stress generated during the fabrication of doubly clamped, suspended silicon nanobeams with rectangular section. [...]
2016 - 10.1116/1.4967930
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, Vol. 34, Issue 6 (November 2016) , art. 6KK02  
3.
12 p, 2.7 MB Top-down CMOS-NEMS polysilicon nanowire with piezoresistive transduction / Marigó Ferrer, Eloi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sansa Perna, Marc (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Pérez Murano, Francesc (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A top-down clamped-clamped beam integrated in a CMOS technology with a cross section of 500 nm × 280 nm has been electrostatic actuated and sensed using two different transduction methods: capacitive and piezoresistive. [...]
2015 - 10.3390/s150717036
Sensors (Basel, Switzerland), Vol. 15 (July 2015) , p. 17036-17047  

Research literature 2 records found  
1.
225 p, 3.1 MB Characterization of nanomechanical resonators based on silicon nanowires / Sansa Perna, Marc ; Pérez Murano, Francesc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Els sensors de massa nanomecànics han atret un gran interès darrerament per la seva alta sensibilitat, que ve donada per les petites dimensions del ressonador que actua com a element sensor. Aquesta tesi tracta sobre la fabricació i caracterització de ressonadors nanomecànics per a aplicacions de sensat de massa. [...]
Nanomechanical mass sensors have attracted interest during the last years thanks to their unprecedented sensitivities, which arise from the small dimensions of the resonator which comprises the sensing element. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
2.
187 p, 7.3 MB Caracterització d'oscil·ladors basats en CMOS-M/NEMS i la seva aplicació com a sensors de massa / Sansa Perna, Marc ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
El present projecte tracta sobre la caracterització d'oscil·ladors basats en ressonadors micro/nanoelectromecànics (M/NEMS) i la seva aplicació com a sensors de massa. Els oscil·ladors utilitzats es basen en un pont i una palanca ressoants M/NEMS, integrats en tecnologia CMOS. [...]
El presente proyecto trata sobre la caracterización de osciladores basados en resonadores micro/nanoelectromecánicos (M/NEMS) y su aplicación como sensores de masa. Los osciladores utilizados se basan en un puente y una palanca resonantes M/NEMS, integrados en tecnología CMOS. [...]
The aim of the present project is the characterization of micro/nanoelectromechanical (M/NEMS)-based oscillators and their application as mass sensors. The studied oscillators are based on a bridge and a cantilever resoant M/NEMS, integrated in CMOS technology. [...]
Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.

2008  

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.