1.
|
52 p, 1.2 MB |
Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride : Radio-frequency stability as a limiting factor
/
Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ;
Martin, Maria J. (Universidad de Salamanca) ;
Rengel, Raul (Universidad de Salamanca) ;
Li, Changfeng (Aalto University) ;
Kim, Wonjae (Aalto University) ;
Riikonen, Juha (Aalto University) ;
Lipsanen, Harri (Aalto University) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The quality of graphene in nanodevices has increased hugely thanks to the use of hexagonal boron nitride as a supporting layer. This paper studies to which extent hBN together with channel length scaling can be exploited in graphene field-effect transistors (GFETs) to get a competitive radio-frequency (RF) performance. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9094
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 48 (December 2017) , art. 485203
|
|
2.
|
|
3.
|
|
4.
|
12 p, 988.7 KB |
Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements
/
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094
|
|
5.
|
8 p, 666.7 KB |
Statistical characterization of time-dependent variability defects using the maximum current fluctuation
/
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This article presents a new methodology to extract, at a given operation condition, the statistical distribution of the number of active defects that contribute to the observed device time-dependent variability, as well as their amplitude distribution. [...]
2021 - 10.1109/ted.2021.3086448
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 68, issue 8 (Aug. 2021) , p. 4039-4044
|
|
6.
|
43 p, 1.8 MB |
Organic-based field effect transistors for protein detection fabricated by inkjet-printing
/
Martínez-Domingo, Carme (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Conti, Silvia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
De La Escosura-Muñiz, Alfredo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Terés, Lluís (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Merkoçi, Arben (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Biosensors based on Organic Field-Effect Transistors (OFETs) have attracted increasing attention due to the possibility of rapid, label-free, and inexpensive detection. Among all the different possibilities, inkjet-printed top-gate organic Field Effect Transistors-Based Biosensors (BioFETs) using a polymeric gate insulator have been seldom reported. [...]
2020 - 10.1016/j.orgel.2020.105794
Organic Electronics, Vol. 84 (Sep. 2020) , art. 105794
|
|
7.
|
8 p, 2.6 MB |
Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs
/
Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - 10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099
|
|
8.
|
6 p, 1.6 MB |
Effect of channel thickness on noise in organic electrochemical transistors
/
Polyravas, Anastasios G. (University of Cambridge. Department of Engineering) ;
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Curto, Vicenzo Fabio (University of Cambridge. Department of Engineering) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Malliaras, George (University of Cambridge. Department of Engineering)
Organic electrochemical transistors (OECTs) have been widely used as transducers in electrophysiology and other biosensing applications. Their identifying characteristic is a transconductance that increases with channel thickness, and this provides a facile mechanism to achieve high signal amplification. [...]
2020 - 10.1063/5.0019693
Applied physics letters, Vol. 117, issue 7 (August 2020) , art. 73302
|
|
9.
|
13 p, 1.1 MB |
Multiplexed neural sensor array of graphene solution-gated field-effect transistors
/
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Schwesig, Gerrit (Bernstein Center for Computational Neuroscience) ;
Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Moya Lara, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Santiago, Sara (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ;
Hébert, Clément (Inserm and Université Grenoble Alpes) ;
Guirado López, Gonzalo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ;
Villa, Rosa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Sirota, Anton (Bernstein Center for Computational Neuroscience. Ludwig-Maximilians-University Munich) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Electrocorticography (ECoG) is a well-established technique to monitor electrophysiological activity from the surface of the brain and has proved crucial for the current generation of neural prostheses and brain-computer interfaces. [...]
2020 - 10.1088/2053-1583/ab7976
2D Materials, Vol. 7, issue 2 (April 2020) , art. 25046
|
|
10.
|
21 p, 2.8 MB |
Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors
/
Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636
|
|