Resultados globales: 22 registros encontrados en 0.03 segundos.
Artículos, Encontrados 19 registros
Documentos de investigación, Encontrados 3 registros
Artículos Encontrados 19 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
52 p, 1.2 MB Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride : Radio-frequency stability as a limiting factor / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Martin, Maria J. (Universidad de Salamanca) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca) ; Li, Changfeng (Aalto University) ; Kim, Wonjae (Aalto University) ; Riikonen, Juha (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The quality of graphene in nanodevices has increased hugely thanks to the use of hexagonal boron nitride as a supporting layer. This paper studies to which extent hBN together with channel length scaling can be exploited in graphene field-effect transistors (GFETs) to get a competitive radio-frequency (RF) performance. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9094
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 48 (December 2017) , art. 485203  
2.
7 p, 5.0 MB Straightforward bias- and frequency-dependent small-signal model extraction for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille) ; Happy, Henri (Université de Lille) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We propose an explicit small-signal graphene field-effect transistor (GFET) parameter extraction procedure based on a charge-based quasi-static model. The dependence of the small-signal parameters on both gate voltage and frequency is precisely validated by high-frequency (up to 18 GHz) on-wafer measurements from a 300 nm device. [...]
2023 - 10.1016/j.mejo.2023.105715
Microelectronics Journal, Vol. 133 (March 2023) , art. 105715  
3.
A Smart Measurement System for the Combined Nanoscale and Device Level Characterization of Electron Devices : Implementation Using Ink-Jet Printing Technologies / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arrese, Javier (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, the integration into a single measurement system of device level and nanoscale measurement equipment is presented and applied to the electrical characterization of emerging electron devices. [...]
2023 - 10.1109/TNANO.2023.3234357
IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 22 (January 2023) , p. 28-35  
4.
12 p, 988.7 KB Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
5.
8 p, 666.7 KB Statistical characterization of time-dependent variability defects using the maximum current fluctuation / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This article presents a new methodology to extract, at a given operation condition, the statistical distribution of the number of active defects that contribute to the observed device time-dependent variability, as well as their amplitude distribution. [...]
2021 - 10.1109/ted.2021.3086448
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 68, issue 8 (Aug. 2021) , p. 4039-4044  
6.
43 p, 1.8 MB Organic-based field effect transistors for protein detection fabricated by inkjet-printing / Martínez-Domingo, Carme (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Conti, Silvia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De La Escosura-Muñiz, Alfredo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Terés, Lluís (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Merkoçi, Arben (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Biosensors based on Organic Field-Effect Transistors (OFETs) have attracted increasing attention due to the possibility of rapid, label-free, and inexpensive detection. Among all the different possibilities, inkjet-printed top-gate organic Field Effect Transistors-Based Biosensors (BioFETs) using a polymeric gate insulator have been seldom reported. [...]
2020 - 10.1016/j.orgel.2020.105794
Organic Electronics, Vol. 84 (Sep. 2020) , art. 105794  
7.
8 p, 2.6 MB Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - 10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099  
8.
6 p, 1.6 MB Effect of channel thickness on noise in organic electrochemical transistors / Polyravas, Anastasios G. (University of Cambridge. Department of Engineering) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Curto, Vicenzo Fabio (University of Cambridge. Department of Engineering) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Malliaras, George (University of Cambridge. Department of Engineering)
Organic electrochemical transistors (OECTs) have been widely used as transducers in electrophysiology and other biosensing applications. Their identifying characteristic is a transconductance that increases with channel thickness, and this provides a facile mechanism to achieve high signal amplification. [...]
2020 - 10.1063/5.0019693
Applied physics letters, Vol. 117, issue 7 (August 2020) , art. 73302  
9.
13 p, 1.1 MB Multiplexed neural sensor array of graphene solution-gated field-effect transistors / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Schwesig, Gerrit (Bernstein Center for Computational Neuroscience) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Moya Lara, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Santiago, Sara (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Hébert, Clément (Inserm and Université Grenoble Alpes) ; Guirado López, Gonzalo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Villa, Rosa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sirota, Anton (Bernstein Center for Computational Neuroscience. Ludwig-Maximilians-University Munich) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Electrocorticography (ECoG) is a well-established technique to monitor electrophysiological activity from the surface of the brain and has proved crucial for the current generation of neural prostheses and brain-computer interfaces. [...]
2020 - 10.1088/2053-1583/ab7976
2D Materials, Vol. 7, issue 2 (April 2020) , art. 25046  
10.
21 p, 2.8 MB Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636  

Artículos : Encontrados 19 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 3 registros  
1.
0 p, 5.5 MB Caracterització de catèters de trombectomia per l'optimització d'estratègies de tractament endovascular d'ictus isquèmic agut / Li, Jiahui ; Mas Torrent, Marta, dir.
En aquesta tesis s'investiguen diversos aspectes dels transistors orgànics d'efecte de camp (OFETs), tal com la seva fabricació, caracterització elèctrica i aplicacions. S'han preparat pel·lícules primes de diferents semiconductors orgànics (OSCs) de tipus p basats en molècules conjugades petites i mescles d'aquests OSCs amb polímers aïllants utilitzant la tècnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). [...]
En esta tesis investigamos varios aspectos de los transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs), incluida su fabricación, caracterización eléctrica y aplicaciones. Se han preparado películas delgadas de diferentes semiconductores orgánicos (OSCs) de tipo p basados en moléculas conjugadas pequeñas y mezclas de estos OSCs con polímeros aislantes utilizando la técnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). [...]
In this thesis, we investigate several aspects of organic field-effect transistors (OFETs), including their fabrication, electrical characterisation, and applications. Thin films of different p-type small molecule organic semiconductors (OSCs) and blends of these OSCs with insulating polymer binders have been prepared using the bar-assisted meniscus shearing (BAMS) technique and implemented as active layers in OFETs. [...]

2022  
2.
169 p, 5.3 MB Printing of organic semiconductors : morphology, crystal structure and interfaces / Tamayo Serra, Adrián ; Mas Torrent, Marta, dir.
L'electrònica orgànica està despertant interès a causa del seu baix cost i escalabilitat. Els semiconductors orgànics (OSC) es poden dipositar mitjançant tècniques de solució compatibles amb processat gran escala, baixes temperatures i sobre substrats flexibles. [...]
La electrónica orgánica está despertando interés debido a su bajo costo y escalabilidad. Los semiconductores orgánicos (OSC) se pueden depositar mediante técnicas de solución compatibles con procesado a gran escala, bajas temperaturas y sobre sustratos flexibles. [...]
Organic electronics is raising a lot of interest in low-cost and large area applications. Organic semiconductors (OSCs) can be deposited from solution techniques compatible with roll-to-roll processes at low temperatures and on flexible substrates. [...]

2022  
3.
211 p, 16.9 MB Integration of vertical Single Electron Transistor into CMOS technology / Moral Cejudo, Alberto Jose del ; Amat Bertran, Esteve, dir. ; Pérez Murano, Francesc, dir.
Aquesta tesi presenta les investigacions realitzades cap a la integració de transistors verticals d'un sol electró (SET) en tecnologia metall-òxid-semiconductor complementari (CMOS). Dues de les principals motivacions de la indústria de semiconductors són la miniaturització de dispositius i la reducció del consum d'energia. [...]
Esta tesis presenta las investigaciones realizadas hacia la integración de transistores verticales de un solo electrón (SET) en tecnología metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS). Dos de las principales motivaciones de la industria de semiconductores son la miniaturización de dispositivos y la reducción de consumo de energía. [...]
This thesis presents the investigations performed towards the integration of Single Electron Transistor (SET) into Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technologies. Two of the main drives in semiconductor industry are device miniaturization and power consumption reduction. [...]

2021  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.