Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Tunnel junctions
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 4 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 3 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
9 p, 1.8 MB On the persistence of polar domains in ultrathin ferroelectric capacitors / Zubko, Pavlo (University College London) ; Lu, Haidong (University of Nebraska-Lincoln) ; Bark, C. W. (University of Wisconsin-Madison. Department of Materials Science and Engineering) ; Martí Rovirosa, Xavier (Academy of Sciences of the Czech Republic) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eom, C. B. (University of Wisconsin-Madison. Department of Materials Science and Engineering) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gruverman, A. (University of Nebraska-Lincoln. Department of Physics and Astronomy)
The instability of ferroelectric ordering in ultra-thin films is one of the most important fundamental issues pertaining realization of a number of electronic devices with enhanced functionality, such as ferroelectric and multiferroic tunnel junctions or ferroelectric field effect transistors. [...]
2017 - 10.1088/1361-648X/aa73c3
Journal of Physics Condensed Matter, Vol. 29, Núm. 28 (July 2017) , art. 284001  
Registre complet - Creative Commons
2.
4 p, 219.8 KB Pinned synthetic ferrimagnets with perpendicular anisotropy and tuneable exchange bias / Sort Viñas, Jordi (SPINTEC (Spin Electronics Research)) ; Rodmacq, B. (SPINTEC (Spin Electronics Research)) ; Auffret, Stéphane (SPINTEC (Spin Electronics Research)) ; Dieny, B. (SPINTEC (Spin Electronics Research)) ; American Physical Society
Pinned synthetic ferrimagnets (syFerri) with perpendicular-to-plane magnetic anisotropy, of the form AP1/Ru/AP2/FeMn [where AP1 and AP2 are (Co/Pt) multilayers], have been prepared and characterized. [...]
2003 - 10.1063/1.1606495
Applied physics letters, Vol. 83, Issue 9 (August 2003) , p. 1800-1802  
Registre complet -
3.
5 p, 591.3 KB Storing magnetic information in IrMn/MgO/Ta tunnel junctions via field-cooling / Petti, D. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Albisetti, E. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Reichlová, H. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, M. (Oak Ridge National Laboratory. Materials Science & Technology Division) ; Molina Ruiz, Manel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Olejník, K. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Novák, V. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Dkhil, B. (Laboratoire Structures, Propriétés et Modélisation des Solides (CNRS)) ; Hayakawa, J. (Hitachi Ltd. Advanced Research Laboratory) ; Marti, X. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Wunderlich, J. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Jungwirth, Tomas (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Bertacco, Riccardo (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; American Institute of Physics
In this paper, we demonstrate that in Ta/MgO/IrMn tunneling junctions, containing no ferromagnetic elements, distinct metastable resistance states can be set by field cooling the devices from above the Néel temperature (TN) along different orientations. [...]
2013 - 10.1063/1.4804429
Applied physics letters, Vol. 102, Issue 19 (May 2013) , p. 192404/1-192404-4  
Registre complet -

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
211 p, 9.7 MB Resistive Switching in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric tunnel junctions / Sulzbach, Milena Cervo ; Fontcuberta, Josep, dir. ; Sort Viñas, Jordi, dir.
El requisit de sistemes informàtics i d'emmagatzematge de dades d'alt rendiment en l'era de l'Internet de les coses (IOT) aconsegueix els límits de la tecnologia actual. Les memòries flaix DRAM i NAND presenten importants desavantatges com la volatilitat de les dades i limitacions de velocitat. [...]
El requisito de sistemas informáticos y de almacenamiento de datos de alto rendimiento en la era del Internet de las cosas (IoT) alcanza los límites de la tecnología actual. Las memorias flash DRAM y NAND presentan importantes desventajas como la volatilidad de los datos y limitaciones de velocidad. [...]
The requirement for high-performance data storage and computing systems in the Internet of Things (IoT) era reaches the limits of the current technology. DRAM and NAND flash memories show significant drawbacks as data volatility and limitations of speed. [...]
2021  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem