Results overview: Found 1 records in 0.02 seconds.
Articles, 1 records found
Articles 1 records found  
1.
21 p, 1.0 MB High yield of gaas nanowire arrays on si mediated by the pinning and contact angle of Ga / Russo-Averchi, Eleonora (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Vukajlovic Plestina, Jelena (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Tütüncüoglu, Gözde (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Matteini, Federico (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Dalmau-Mallorquí, Anna (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rüffer, Daniel (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Potts, Heidi A. (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Conesa-Boj, Sonia (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Fontcuberta i Morral, Anna (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs)
GaAs nanowire arrays on silicon offer great perspectives in the optoelectronics and solar cell industry. To fulfill this potential, gold-free growth in predetermined positions should be achieved. Ga-assisted growth of GaAs nanowires in the form of array has been shown to be challenging and difficult to reproduce. [...]
2015 - 10.1021/nl504437v
Nano letters, Vol. 15, issue 5 (May 2015) , p. 2869-2874  

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.