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Artículos, Encontrados 2 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 2 registros  
1.
3 p, 1.1 MB Domain matching epitaxy of ferrimagnetic CoFe2O4 thin films on Sc2O3/Si(111) / Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Bachelet, Romain (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Coux, P. de (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Warot-Fonrose, Bénédicte (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Tarnawska, L. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance) ; Zaumseil, P. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance) ; Schroeder, T. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
Ferrimagnetic spinel CoFe2O4 (CFO) films are integrated with Si(111) using Sc2O3 buffer layers. The huge lattice mismatch (17%) between CFO and Sc2O3 is accommodated by domain matching, and CFO grows epitaxially with (111) out-of-plane orientation and coexistence of A- and B-type in-plane crystal variants. [...]
2011 - 10.1063/1.3663216
Applied physics letters, Vol. 99, Issue 21 (November 2011) , p. 211910/1-211910/3  
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2.
3 p, 985.5 KB CoFe2O4/buffer layer ultrathin heterostructures on Si(001) / Bachelet, Romain (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Coux, P. de (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Warot-Fonrose, Bénédicte (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Epitaxial films of ferromagnetic CoFe2O4 (CFO) were grown by pulsed laser deposition on Si(001) buffered with ultrathin yttria-stabilized zirconia (YSZ) layers in a single process. Reflection high-energy electron diffraction was used to monitor in real time the crystallization of YSZ, allowing the fabrication of epitaxial YSZ buffers with thickness of about 2 nm. [...]
2011 - 10.1063/1.3651386
Journal of applied physics, Vol. 110, Núm. 8 (Oct. 2011) , p. 086102/1-086102/3  
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Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
158 p, 3.8 MB Integration of ferrimagnetic CoFe₂O₄ epitaxial films with silicon / de Coux González, Patricia ; Warot-Fonrose, Bénédicte, dir. (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El continuo progreso en microelectrónica se debe al crecimiento exponencial con el tiempo del número de transistores por circuito integrado, dependencia conocida como ley de Moore. Esta ley se sigue cumpliendo, pero se va acercando a límites intrínsecos. [...]
Microelectronics is progressing continuously by the exponential growth with time of the number of transistors per integrated circuit, the popularly known as "Moore's Law". This law is still valid but it is approaching intrinsic limits. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
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1 Warot-Fonrose, Bénédicte,
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