Impact of graphene polycrystallinity on the performance of graphene field-effect transistors
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Kotakoski, Jani (University of Vienna. Faculty of Physics)
Roche, Stephan (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats)
American Institute of Physics
Fecha: |
2014 |
Resumen: |
We have used a multi-scale physics-based model to predict how the grain size and different grain boundary morphologies of polycrystalline graphene will impact the performance metrics of graphene field-effect transistors. We show that polycrystallinity has a negative impact on the transconductance, which translates to a severe degradation of the maximum and cutoff frequencies. On the other hand, polycrystallinity has a positive impact on current saturation, and a negligible effect on the intrinsic gain. These results reveal the complex role played by graphene grain boundaries and can be used to guide the further development and optimization of graphene-based electronic devices. |
Derechos: |
Tots els drets reservats. |
Lengua: |
Anglès |
Documento: |
Article ; recerca ; Versió publicada |
Materia: |
Graphene ;
Carrier mobility ;
Capacitance ;
Carrier density ;
Low field transport ;
Polycrystals |
Publicado en: |
Applied physics letters, Vol. 104, Issue 4 (January 2014) , p. 043509/1-043509/4, ISSN 1077-3118 |
DOI: 10.1063/1.4863842
El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación >
Documentos de los grupos de investigación de la UAB >
Centros y grupos de investigación (producción científica) >
Ciencias >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2014-02-17, última modificación el 2022-09-06