Home > Articles > Published articles > Resistive switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors |
Date: | 2023 |
Abstract: | In this work, the Resistive switching (RS) phenomenon is experimentally investigated in N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs with high-k dielectric. The location along the channel of the conductive filament through the device dielectric during switching is analyzed. Finally, the effects of RS on the characteristic transistor curves are also presented. |
Grants: | Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32 Agencia Estatal de Investigación PRE2020-092522 |
Rights: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. |
Language: | Anglès |
Document: | Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Subject: | FD-SOI ; Nanowires ; Resistive switching |
Published in: | Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108759, ISSN 1879-2405 |
Available from: 2025-11-30 Postprint |