Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2022
Description:	4 pàg.
Abstract:	In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. The experimental observations show that HCI and OFF-State are the most damaging aging mechanisms in these devices while N/PBTI produce negligible degradation. Moreover, for large enough stress conditions, OFF-State aging largely distorts the ID-VG curves of the transistor, leading to an almost linear dependence on VG.
Grants:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	Aging ; BTI ; FD-SOI ; HCI OFF-State ; NW-FETs ; Reliability ; Stress
Published in:	Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2022.108324

Available from: 2024-08-30 Postprint

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles