Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/45731
Métodos de extracción de parámetros de un circuito equivalente de pequeña señal para transistores LDMOS de potencia para aplicaciones de RF
Chincolla Sánchez, Manuel
Flores Gual, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria

Data: 2007
Descripció: 138 p.
Resum: En la actualidad, la gran cantidad de aplicaciones que surgen dentro del ámbito de la radiofrecuencia hacen que el desarrollo de dispositivos dentro de este campo sea constante. Estos dispositivos cada vez requieren mayor potencia para frecuencias de trabajo elevadas, lo que sugiere abrir vías de investigación sobre dispositivos de potencia que ofrezcan los resultados deseados para altas frecuencias de operación (GHz). Dentro de este ámbito, el objetivo principal de este proyecto es el de realizar un estudio sobre este tipo de dispositivos, siendo el transistor LDMOS el candidato elegido para tal efecto, debido a su buen comportamiento en frecuencia para tensiones elevadas de funcionamiento.
Resum: Actualment, la gran quantitat d'aplicacions que apareixen dins l'àmbit de la radiofreqüència fan que el desenvolupament de dispositius en aquest camp sigui constant. Aquests dispositius cada vegada treballen a una potència més elevada amb altes freqüències d'operació, cosa que ens suggereix obrir branques d'investigació sobre dispositius de potència que siguin capaços d'oferir els resultats desitjats per freqüències de treball elevades (GHz). En aquest entorn, l'objectiu principal d'aquest projecte serà el de realitzar un estudi sobre aquest tipus de dispositius, essent el transistor LDMOS el candidat elegit, atès el seu bon comportament en freqüència a tensions elevades de funcionament.
Resum: At the present time, the great amount of applications that arise within the scope of the radio frequency does that the development of devices within this field is constant. These devices every time require greater power for elevated frequencies of work, which suggests to open investigation routes on power devices which they offer the results wished for high frequencies of operation (GHz). Within this scope, the primary target of this project is the one to make a study on this type of devices, being transistor LDMOS the candidate chosen for such effect, due to its good behaviour in frequency for elevated tensions of operation.
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús Creative Commons
Llengua: Castellà.
Document: bachelorThesis
Matèria: Transistors d'efecte de camp de metall òxid semiconductor ; Radiofreqüència

Adreça alternativa: http://hdl.handle.net/2072/5380


138 p, 2.3 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > Enginyeria. Projectes de final de carrera > Enginyeria Electrònica. PFC

 Registre creat el 2009-07-15, darrera modificació el 2016-06-11



   Favorit i Compartir