Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/45732
Dispositius nanoelectrònics a freqüències de THz : estudi de la propagació electromagnètica en les connexions
Baella Martínez, Lídia
Oriols Pladevall, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria

Data: 2007
Descripció: 105 p.
Resum: Per a altes freqüències, les connexions poden tenir un paper rellevant. Atès que la velocitat de propagació dels senyals electromagnètics, c, en el cable no és infinita, el voltatge i el corrent al llarg del cable varien amb el temps. Per tant, amb l'objectiu de reproduir el comportament elèctric de dispositius nanoelectrònics a freqüències de THz, en aquest treball hem estudiat la regió activa del dispositiu nanoelectrònic i les seves connexions, en un sistema global complex. Per a aquest estudi hem utilitzat un nou concepte de dispositiu anomenat Driven Tunneling Device (DTD). Per a les connexions, hem plantejat el problema a partir de tot el conjunt de les equacions de Maxwell, ja que per a les freqüències i longituds de cable considerats, la contribució del camp magnètic és també important. En particular, hem suposat que la propagació que és dóna en el cable és una propagació transversal electromagnètica (TEM). Un cop definit el problema hem desenvolupat un programa en llenguatge FORTRAN que amb l'algoritme de diferències finites soluciona el sistema global. La solució del sistema global s'ha aplicat a una configuració particular de DTD com a multiplicador de freqüència per tal de discutir quins paràmetres de les connexions permet maximitzar la potència real que pot donar el DTD.
Resum: Para altas frecuencias, las conexiones pueden tener un papel importante. Debido a que la velocidad de propagación de las señales electromagnéticas, c, en el cable no es infinita, la tensión y la corriente en el cable varían con el tiempo. Por tanto, con el objetivo de reproducir el comportamiento eléctrico de dispositivos nanoelectrónicos a frecuencias de THz, en este trabajo hemos estudiado la región activa del dispositivo nanoelectrónico y sus conexiones, en un sistema global complejo. Para este estudio hemos utilizado un nuevo concepto de dispositivo llamado Driven Tunneling Device (DTD). Para las conexiones, hemos planteado el problema a partir de todo el conjunto de ecuaciones de Maxwell, ya que para las frecuencias y longitudes de cable considerados, la contribución del campo magnético también es importante. En particular, hemos supuesto que en el cable tenemos propagación transversal electromagnética (TEM). Una vez definido el problema a tratar hemos desarrollado un programa en lenguaje FORTRAN que con el algoritmo de diferencias finitas soluciona el sistema global. La solución del sistema global ha sido aplicada a una configuración particular de DTD como multiplicador de frecuencia con el fin de discutir que parámetros de las conexiones permiten maximizar la potencia real que puede dar el DTD.
Resum: For high frequencies, the connections could have an important role. As the propagation velocity of the electromagnetic signals, c, in the cable isn't infinite, the voltage and the current in the cable change with time. In this document, we have study the device active region and its connections with the purpose to repeat the electric behavior of nanoelectronic devices at THz frequencies. We have use a new concept of device called Driven Tunneling Device (DTD) in our study. We have set out the problem in the connections with the whole set of Maxwell equations, because for frequencies and cable lengths we consider, the magnetic field contribution is also important. In special, we have supposed the propagation in the cable is a electromagnetic transversal propagation. After we have developed a program in FORTRAN with the finite difference algorithm that solves the whole system. The whole system solution have been applied in a particular configuration of DTD like a frequency multiplication with the propose to study the parameters can provide the maximum real power that DTD could be delivered.
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús Creative Commons
Llengua: Català.
Document: bachelorThesis
Matèria: Ones electromagnètiques -- Transmissió ; Senyals (Telecomunicació), Teoria de les

Adreça alternativa: http://hdl.handle.net/2072/5379


Projecte
105 p, 998.7 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > Enginyeria. Projectes de final de carrera > Enginyeria Electrònica. PFC

 Registre creat el 2009-07-15, darrera modificació el 2016-06-11



   Favorit i Compartir