Resultats globals: 17 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 14 registres trobats
Documents de recerca, 3 registres trobats
Articles 14 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
20 p, 950.6 KB Spin communication over 30 μm long channels of chemical vapor deposited graphene on SiO2 / Gebeyehu, Zewdu M. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Parui, S. (K.U. Leuven) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Brems, S. (Imec) ; Huyghebaert, C. (Imec) ; Garello, Kevin (Imec) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We demonstrate a high-yield fabrication of non-local spin valve devices with room-temperature spin lifetimes of up to 3 ns and spin relaxation lengths as long as 9 μm in platinum-based chemical vapor deposition (Pt-CVD) synthesized single-layer graphene on SiO/Si substrates. [...]
2019 - 10.1088/2053-1583/ab1874
2D Materials, Vol. 6, Num. 3 (July 2019) , p. 034003  
2.
21 p, 7.4 MB Control of spin-charge conversion in van der Waals heterostructures / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tian, Bo (King Abdullah University of Science and Technology) ; Li, Junzhu (King Abdullah University of Science and Technology) ; Bonell, Frédéric (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Jamet, Matthieu (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Vergnaud, Céline (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Marty, Alain (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Auréliene (Aix-Marseille Université) ; Zhang, Xixiang (King Abdullah University of Science and Technology) ; Schwingenschlögl, Udo (King Abdullah University of Science and Technology)
The interconversion between spin and charge degrees of freedom offers incredible potential for spintronic devices, opening routes for spin injection, detection, and manipulation alternative to the use of ferromagnets. [...]
2021 - 10.1063/5.0054865
APL materials, Vol. 9, issue 10 (Oct. 2021) , art. 100901  
3.
60 p, 7.3 MB The 2021 quantum materials roadmap / Giustino, Feliciano (The University of Texas at Austin. Department of Physics) ; Lee, Jin Hong (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ; Trier, Felix (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ; Bibes, Manuel (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ; Winter, Stephen M. (Goethe-Universität Frankfurt. Institut für Theoretische Physik) ; Valentí, Roser (Goethe-Universität Frankfurt. Institut für Theoretische Physik) ; Son, Young-Woo (Korea Institute for Advanced Study) ; Taillefer, Louis (Université de Sherbrooke. Département de physique) ; Heil, Christoph (Graz University of Technology. Institute of Theoretical and Computational Physics) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Plaçais, Bernard (Université PSL. Laboratoire de Physique de l'Ecole normale supérieure) ; Wu, QuanSheng (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ; Yazyev, Oleg V. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ; Bakkers, Erik P. A. M (Eindhoven University of Technology) ; Nygård, Jesper (University of Copenhagen. Niels Bohr Institute) ; Forn-Díaz, Pol (Institut de Física d'Altes Energies) ; De Franceschi, Silvano (University Grenoble Alpes) ; McIver, J.W. (Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter) ; Foa Torres, L.E.F. (Universidad de Chile. Departamento de Física) ; Low, Tony (University of Minnesota. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Kumar, Anshuman (Indian Institute of Technology Bombay. Physics Department) ; Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Aurélien (Aix-Marseille Université. CINaM) ; Kim, Eun-Ah (Cornell University. Department of Physics) ; Schleder, Gabriel R . (Brazilian Nanotechnology National Laboratory) ; Fazzio, Adalberto (Brazilian Nanotechnology National Laboratory) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
In recent years, the notion of 'Quantum Materials' has emerged as a powerful unifying concept across diverse fields of science and engineering, from condensed-matter and coldatom physics to materials science and quantum computing. [...]
2020 - 10.1088/2515-7639/abb74e
JPhys materials, Vol. 3, issue 4 (Oct. 2020) , art. 42006  
4.
9 p, 1.5 MB Spin precession and spin Hall effect in monolayer graphene/Pt nanostructures / Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Spin Hall effects have surged as promising phenomena for spin logics operations without ferromagnets. However, the magnitude of the detected electric signals at room temperature in metallic systems has been so far underwhelming. [...]
2017 - 10.1088/2053-1583/aa8823
2D Materials, Vol. 4, issue 4 (Dec. 2017) , art. 041008  
5.
18 p, 1.5 MB Tunable room-temperature spin galvanic and spin Hall effects in van der Waals heterostructures / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Spin-orbit coupling stands as a powerful tool to interconvert charge and spin currents and to manipulate the magnetization of magnetic materials through spin-torque phenomena. However, despite the diversity of existing bulk materials and the recent advent of interfacial and low-dimensional effects, control of this interconversion at room temperature remains elusive. [...]
2020 - 10.1038/s41563-019-0575-1
Nature materials, Vol. 19, issue 2 (Feb. 2020) , p. 170-175  
6.
12 p, 487.8 KB Fingerprints of inelastic transport at the surface of the topological insulator Bi 2 Se 3 : role of electron-phonon coupling / Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marinova, Vera (Bulgarian Academy of Sciences. Institute of Optical Materials and Technologies) ; Gospodinov, M. M. (Bulgarian Academy of Sciences. Institute of Solid State Physics) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report on electric-field and temperature-dependent transport measurements in exfoliated thin crystals of the Bi2Se3 topological insulator. At low temperatures (<50 K) and when the chemical potential lies inside the bulk gap, the crystal resistivity is strongly temperature dependent, reflecting inelastic scattering due to the thermal activation of optical phonons. [...]
2014 - 10.1103/PhysRevLett.112.086601
Physical review letters, Vol. 112, issue 8 (Feb. 2014) , art. 86601  
7.
12 p, 2.5 MB Investigating the spin-orbit interaction in van der Waals heterostructures by means of the spin relaxation anisotropy / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Graphene offers long spin propagation and, at the same time, a versatile platform to engineer its physical properties. Proximity-induced phenomena, taking advantage of materials with large spin-orbit coupling or that are magnetic, can be used to imprint graphene with large spin-orbit coupling and magnetic correlations. [...]
2019 - 10.1063/1.5124894
APL materials, Vol. 7, Issue 12 (December 2019) , art. 120701  
8.
23 p, 2.0 MB Hot-Carrier Seebeck Effect : Diffusion and Remote Detection of Hot Carriers in Graphene / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We investigate hot carrier propagation across graphene using an electrical nonlocal injection/detection method. The device consists of a monolayer graphene flake contacted by multiple metal leads. Using two remote leads for electrical heating, we generate a carrier temperature gradient that results in a measurable thermoelectric voltage V across the remaining (detector) leads. [...]
2015 - 10.1021/acs.nanolett.5b00922
Nano letters, Vol. 15, Issue 6 (June 2015) , p. 4000-4005  
9.
15 p, 1.6 MB Thermoelectric spin voltage in graphene / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cuppens, Jo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
In recent years, new spin-dependent thermal effects have been discovered in ferromagnets, stimulating a growing interest in spin caloritronics, a field that exploits the interaction between spin and heat currents . [...]
2018 - 10.1038/s41565-017-0015-9
Nature Nanotechnology, Vol. 13, Issue 2 (February 2018) , p. 107-111  
10.
11 p, 3.3 MB Spin precession in anisotropic media / Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We generalize the diffusive model for spin injection and detection in nonlocal spin structures to account for spin precession under an applied magnetic field in an anisotropic medium, for which the spin lifetime is not unique and depends on the spin orientation. [...]
2017 - 10.1103/PhysRevB.95.085403
Physical review B, Vol. 95, Issue 8 (February 2017) , art. 85403  

Articles : 14 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 3 registres trobats  
1.
12 p, 1.0 MB Heat dissipation in few-layer MoS2 and MoS2/hBN heterostructure / Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Navarro Urrios, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Watanabe, Kenji (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Taniguchi, Takashi (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
State-of-the-art fabrication and characterization techniques have been employed to measure the thermal conductivity of suspended, single-crystalline MoS2 and MoS2/hBN heterostructures. Two-laser Raman scattering thermometry was used combined with real time measurements of the absorbed laser power, which allowed us to determine the thermal conductivities without any assumptions. [...]
2021 - 10.48550/arXiv.2107.06717  
2.
139 p, 7.1 MB Spin-orbit coupling in graphene/transition metal dichalcogenides devices / Benítez, L. Antonio ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Roche, Stephan Jean Louis, dir. ; Costache, Marius Vasile, dir. ; Mompart Penina, Jordi, dir.
Aquest treball s'emmarca dins els camps de l'espintrònica i la spin-orbitrònica, l'objectiu final del qual és controlar el grau de llibertat de l'espín de l'electró mitjançant l'acoblament spin-òrbita (SOC) en sistemes d'estat sòlid. [...]
El presente trabajo se encuentra dentro de los campos de la espintrónica y la espín-orbitrónica, cuyo objetivo final es controlar el grado de libertad de espín del electrón mediante el acoplamiento espín-órbita (SOC) en sistemas de estado sólido. [...]
The presented work is within the fields of spintronics and spin-orbitronics, whose final aim is to control the electron's spin degree of freedom via the spin-orbit coupling (SOC) in solid-state systems. [...]

2020  
3.
158 p, 4.7 MB High-quality CVD graphene for spintronic applications / Gebeyehu, Zewdu Messele ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Esplandiu Egido, Maria José, dir. ; Costache, Marius Vasile, dir. ; Badosa, Josep R., dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química
Aquesta tesi s'ha basat en la síntesi i el processament del grafè per tal d'obtenir les condicions òptimes per a la seva utilització en aplicacions d'espintrònica. La tesi està emmarcada en dos camps de recerca punters: el món del grafè amb la seva riquesa de propietats úniques i el camp de l'espintrònica que explora el grau de llibertat de l'espí de l'electró de cara a noves aplicacions en informàtica i tecnologia de comunicacions (com és ara els dispositius de lògica i d'emmagatzematge d'informació). [...]
Esta tesis se ha basado en ajustar la síntesis y el procesamiento de grafeno para el desarrollo de dispositivos espintrónicos optimizados. La tesis está enmarcada en dos temáticas punteras: el mundo del grafeno con su riqueza de propiedades únicas y el campo de la espintrónica que explora el grado de libertad del espín de los electrones para nuevas aplicaciones en tecnología de la información y la comunicación (por ejemplo, dispositivos de lógica y almacenamiento de información). [...]
"This thesis has focused on tuning the synthesis and processing of graphene to achieve optimized spintronic applications. Thus the thesis is framed in two cut-edging topics: the graphene world with its richness of unique properties and the field of spintronics which explores the spin degree of freedom of the electrons for novel applications in information and communication technology (e. [...]

2019  

Vegeu també: autors amb noms similars
2 Costache, Marius Vasile,
8 Costache, Marius Vasile.
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.