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Artículos, Encontrados 1 registros
Documentos de investigación, Encontrados 11 registros
Artículos Encontrados 1 registros  
1.
14 p, 5.7 MB Scanning probe microscopies for analytical studies at the nanometer scale / Esplandiu Egido, Maria José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química)
The scanning probe microscopies (SPM) have transformed the way of studying the structure and the properties of a wide variety of systems. Without doubt, they have exerted a pivotal role in many scientific disciplines like physics, chemistry, biology and engineering and have helped to give birth to novel fields such as the nanoscience and nanotechnology. [...]
Les microscòpies locals de rastreig han transformat la manera d'estudiar l'estructura i les propietats d'una gran varietat de sistemes. Sens dubte, han tingut un paper essencial en moltes disciplines, com ara la física, la química, la biologia i l'enginyeria, i han contribuït al naixement de nous camps, com ara la nanociència i la nanotecnologia. [...]
2005
Contributions to science, Vol. 3, Núm. 1 (2005) , p. 33-46  
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Documentos de investigación Encontrados 11 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
136 p, 2.0 MB Determination of nanomechanical properties of surfaces by atomic force microscopy using higher harmonics / Gramazio, Federico ; Fraxedas, Jordi, dir. ; Pérez Murano, Francesc, dir. ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Esta tesis doctoral titulada "Determinación de las propiedades nanomecánicas de las superficies mediante microscopía de fuerza atómica utilizando armónicos superiores" trata de los problemas relacionados con la determinación de las propiedades mecánicas de los materiales a escala nanométrica. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
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2.
151 p, 10.0 MB Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies / Berthold, Tobias ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. [...]
For the implementation of a direct copper-copper interconnection technology, the different properties of copper (Cu), especially the oxidation behavior, impede the easy transition to Cu compared to standard materials such as aluminum or gold. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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3.
197 p, 6.7 MB A nanoscale study of MOSFETs reliability and resistive switching in RRAM devices / Wu, Qian ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El continuo escalado de la tecnología CMOS ha supuesto un gran reto en cuanto a la fiabilidad de dispositivos MOSFET se refiere debido al aumento del campo eléctrico en su interior, el cual ha dado lugar a la aparición de diferentes mecanismos de fallo. [...]
The continuous scaling down of CMOS technology has stood for a big challenge for reliability researchers, mainly due to the persistent increase of the electric fields in nanoscale devices, which can trigger different failure mechanisms. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
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4.
171 p, 6.5 MB Nanoscale investigation and control of the interfacial properties of organic solar cells and organic thin-film transistors / Aghamohammadi, Mahdieh ; Barrena, Esther, dir. ; Klauk, Hagen, dir. ; Rodríguez-Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Las propiedades de las películas de semiconductores orgánicas y, en particular, de las interfases involucradas, son uno de los aspectos más prominentes en relación con la eficiencia de los dispositivos orgánicos. [...]
Thin-film and interface properties of organic semiconductors are among the most prominent aspects with regard to the overall performance of organic electronic devices. The interface formed between two organic materials can influence the electronic and optical properties of organic electronic devices by determining the growth mechanisms, morphology, defect density and the electronic interface structures of organic films. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
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5.
240 p, 6.4 MB Interfacial chemistry of catechol-based nanostructures / Guardingo Melián, Mireia ; Ruiz-Molina, Daniel, dir. ; Busqué Sánchez, Félix, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química
Los catecoles son compuestos aromáticos presentes en una gran variedad de sistemas naturales. Dada su gran versatilidad a nivel de propiedades fisicoquímicas, adquieren papeles clave en diferentes procesos naturales. [...]
Catechols are aromatic derivatives present in a variety of environments in nature. Due to their broad physicochemical versatility, they play pivotal roles in multiple natural processes. Probably their most popular appearance is in the adhesive proteins of mussels in the form of the rare aminoacid L-DOPA, which is considered to be essential for the strong adhesion of mussels to surfaces under high humidity conditions. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
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6.
149 p, 4.9 MB Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
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7.
239 p, 10.1 MB Study of interfacial water at the nanoscale at ambient conditions with SPM / Cardellach i Redon, Mar ; Verdaguer Prats, Albert, dir. ; Fraxedas, Jordi, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
La tesi que es presenta es veu emmarcada dins l'àrea de ciència de superfícies. Dos dels grans temes desenvolupats en aquesta tesi estan relacionats amb l'estudi de superfícies amb constants de xarxa (distàncies atòmiques que componen la molècula) properes a la del pla basal de la fase hexagonal del gel (Ih) (el gel més comú a l'escorça terrestre). [...]
This thesis is framed into the surface science area. Two main chapters developed in the present work are related to the study of surfaces with lattice constant near to the basal plane of the hexagonal ice (Ih) (the most common ice on Earth). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
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8.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
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9.
299 p, 6.9 MB Estructura y propiedades de las placas de cromatina de los cromosomas metafásicos : estudio mediante técnicas de microscopía TEM, AFM y espectroscopia de fuerza atómica / Gállego Ossul, Isaac ; Daban, Joan-Ramon, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Bioquímica i de Biologia Molecular) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Bioquímica i de Biologia Molecular
En nuestro laboratorio el estudio de cromosomas en presencia de una elevada concentración de iones divalentes, permitió describir por primera vez las placas de cromatina como unidad estructural básica del cromosoma metafásico compacto. [...]
In our laboratory the study of the chromosomes in the presence of high concentrations of divalent ions, has led us to report the chromatin plate-like structure for the first time as a fundamental element of the metaphase chromosome. [...]
Bellaterra: Universitat Autònoma de Barcelona, 2011  
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10.
64 p, 4.0 MB Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM : SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat / Blasco Jiménez, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions d'interès dels dispositius han entrat profundament en el rang nanomètric. [...]
Desde sus inicios hace unas cuatro décadas, la tecnología microelectrónica ha ido reduciendo continuamente las dimensiones de los dispositivos, para ofrecer mejores prestaciones. Actualmente las dimensiones de interés de los dispositivos han entrado profundamente en el rango nanométrico. [...]
Since its early days, microelectronics has always searched for smaller devices in order to increase the performance of its products. At present, this means that the dimensions of the electronic devices have deeply entered into the nanometric range. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006
2 documentos
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