Tailoring size effects on the exchange bias in ferromagnetic-antiferromagnetic <100 nm nanostructures
Baltz, Vincent (Centre National de la Recherche Scientifique (França))
Sort Viñas, Jordi (Centre National de la Recherche Scientifique (França))
Landis, S. (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França))
Rodmacq, B. (Centre National de la Recherche Scientifique (França))
Dieny, B. (Centre National de la Recherche Scientifique (França))
American Physical Society

Fecha:	2005
Resumen:	The hysteresis loop shift in sub-100 nm ferromagnetic- (FM-)antiferromagnetic (AFM) nanostructures can be either enhanced or reduced with respect to continuous films with the same composition, with varying the AFM layer thickness. An enhancement of the coercivity and a reduction of the blocking temperature are also observed. These effects are mainly ascribed to the physical limitations that the dot sizes impose on the AFM domain size and the concomitant weakening of the pinning strength exerted by the AFM during magnetization reversal of the FM.
Derechos:	Tots els drets reservats.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; Versió publicada
Publicado en:	Physical review letters, Vol. 94, Issue 11 (March 2005) , p. 117201, ISSN 1079-7114

DOI: 10.1103/PhysRevLett.94.117201

4 p, 332.0 KB

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