Progressive breakdown dynamics and entropy production in ultrathin SiO2 gate oxides
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
American Physical Society

Date:	2011
Abstract:	The progressive breakdown of ultrathin (≈2nm) SiO2 gate oxides subjected to constant electrical stress is investigated using a simple equivalent circuit model. It is shown how the interplay among series, parallel, and filamentary conductances that represent the breakdown path and its surroundings leads under certain hypothesis to a sigmoidal current-time characteristic compatible with the experimental observations. The dynamical properties of the breakdown trajectories are analyzed in terms of the logistic potential function, the Lyapunov exponent, and the system's attractor. It is also shown that the current evolution is compatible with Prigogine's minimum entropy production principle.
Rights:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Subject:	Entropy ; Attractors ; Mesoscopic systems ; Electrical breakdown ; Electrical properties ; Conductors ; Electric currents
Published in:	Applied physics letters, Vol. 98, Issue 25 (June 2011) , p. 253504/1-253504/3, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.3602318

4 p, 302.1 KB

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles