Simultaneous in-plane and out-of-plane exchange bias using a single antiferromagnetic layer resolved by x-ray magnetic circular dichroism
Nogués, Josep (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Stepanow, S. (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia)
Sort Viñas, Jordi (Centro de Investigaciones Energéticas, Medioambientales y Tecnológicas (CIEMAT))
Dieny, Bernard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Nolting, F. (Paul Scherrer Institut (Suïssa))
Gambardella, Pietro (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia)
Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats
American Physical Society

Fecha:	2009
Resumen:	We present a study of exchange bias in ferromagnet/antiferromagnet/ferromagnet (FM/AFM/FM) trilayers, with in-plane and out-plane easy axes. Using element-specific x-ray magnetic circular dichroism, we demonstrate that simultaneous in-plane and out-of-plane exchange bias can be induced using a single antiferromagnet and zero field cooling, whereas field cooling only induces exchange bias to the layer with easy axis parallel to the cooling field. Our results further evidence the presence of pinned uncompensated moments in both the FM and AFM layers, implying that the AFM layer is capable of supporting uncompensated spins in two orthogonal directions at the same time.
Nota:	This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Antiferromagnetism ; Ferromagnetism ; Exchange interactions ; Remanence ; Multilayers ; Anisotropy ; Magnetic hysteresis ; Interface structure ; Magnetic circular dichroism spectroscopy ; Superconducting quantum interference devices
Publicado en:	Applied physics letters, Vol. 95, Issue 15 (October 2009) , p. 152515/1-152515/3, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.3232213

4 p, 371.3 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Grupo de nanoingeniería de materiales, nanomagnetismo y nanomecánica (Gnm3)
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados