Hydrogen desorption in SiGe films : a diffusion limited process
Vizoso San Segundo, Jesús (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín, Ferran (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
American Physical Society

Date:	1997
Abstract:	A model to explain the hydrogen desorption kinetics in SiGe alloys is presented. This is an extension of a previous desorption model of hydrogen from Si, that considers the presence of three dimer types in the surface in which hydrogen atoms tend to pair before the desorptionreaction. Surfacediffusion is included in the model. The comparison with experimental results shows that desorption is a diffusion limited process.
Rights:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Subject:	Desorption ; Diffusion ; Atom reactions ; Atom surface interactions ; Chemical interdiffusion ; Hydrogen reactions ; Reaction kinetics modeling ; Surface reactions
Published in:	Applied physics letters, Vol. 70, Issue 24 (June 1997) , p. 3287-3289, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.118429

4 p, 307.5 KB

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles