Grain boundaries as preferential sites for Resistive Switching in the HfO2 RRAM structures
-
Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
;
Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ;
Liu, L. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ;
Kang, J. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ;
Gilmer, D. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ;
Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))