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Charge transfer characterization of ALD-Grown TiO₂ protective layers in silicon photocathodes
Ros, Carles (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Andreu, Teresa (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Hernández-Alonso, María Dolores (Repsol Technology Center)
Penelas-Pérez, Germán (Repsol Technology Center)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Morante, Joan R. (Universitat de Barcelona)

Fecha: 2017
Resumen: A critical parameter for the implementation of standard high-efficiency photovoltaic absorber materials for photoelectrochemical (PEC) water splitting is its proper protection from chemical corrosion while remaining transparent and highly conductive. Atomic layer deposited (ALD) TiO₂ layers fulfill material requirements while conformally protecting the underlying photoabsorber. Nanoscale conductivity of ALD TiO₂ protective layers on silicon based photocathodes has been analyzed, proving that the conduction path is through the columnar crystalline structure of TiO₂. Deposition temperature has been explored from 100 to 300 ºC, and a temperature threshold is found to be mandatory for an efficient charge transfer, as a consequence of layer crystallization between 100 and 200 ºC. Completely crystallized TiO₂ is demonstrated to be mandatory for long term stability, as seen in the 300 h continuous operation test.
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1638
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/MAT2014-59961-C2
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/BES-2015-071618
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/ENE2016-80788-C5-5-R
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2013-0295
Derechos: Tots els drets reservats.
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: Atomic layer deposition ; PEC cells ; Protecting overlayers ; Silicon ; Solar hydrogen production ; Titanium dioxide ; Water splitting
Publicado en: ACS Applied Materials and Interfaces, Vol. 9, Issue 21 (May 2017) , p. 17932-17941, ISSN 1944-8252

DOI: 10.1021/acsami.7b02996

34 p, 4.9 MB

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 Registro creado el 2018-07-25, última modificación el 2019-03-29

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