High yield of gaas nanowire arrays on si mediated by the pinning and contact angle of Ga - Russo-Averchi, Eleonora (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Vukajlovic Plestina, Jelena (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Tütüncüoglu, Gözde (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Matteini, Federico (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Dalmau-Mallorquí, Anna (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rüffer, Daniel (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Potts, Heidi A. (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Conesa-Boj, Sonia (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Fontcuberta i Morral, Anna (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs)