Above-Bandgap Photovoltages in Antiferroelectrics
Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Lira-Cantu, Monica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Fecha:	2016
Resumen:	The closed circuit photocurrent and open circuit photovoltage of antiferroelectric thin films were characterized both in their ground (antipolar) state and in their polarized state. A sharp transition happens from near zero to large photovoltages as the polarization is switched on, consistent with the activation of the bulk photovoltaic effect. The AFE layers have been grown by a solution processing method (sol?gel synthesis followed by spin coating deposition) onto fluorine-doped tin oxide (FTO), a transparent conducting oxide with low sheet resistance and a higher resilience to high-temperature processing than indium tin oxide and a standard for solar cells such as organometal trihalide perovskites. Light absorption confirmed that the PZO films are, as expected, wide-band gap semiconductors with a gap of 3. 7. 8 eV and thus highly absorbing in the near-ultraviolet range. On a virgin sample, there is no shortcircuit photocurrent, consistent with the antipolar nature of the ground state. As an external bias voltage is applied, the current remains negligible until suddenly, at the coercive voltage, a spike is observed, corresponding to the transient displacement current caused by the onset of polarization.
Ayudas:	Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295 Ministerio de Economía y Competitividad ENE2013-48816-C5-4-R Ministerio de Economía y Competitividad FIS2013-48668-C2-1-P Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1212 European Commission 308023
Nota:	Altres ajuts: COST Action StableNextSol project MP1307
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Above bandgap voltages ; Antiferroelectrics ; Photovoltaics
Publicado en:	Advanced materials, Vol. 28, Issue 43 (November 2016) , p. 9644-9647, ISSN 1521-4095

DOI: 10.1002/adma.201603176

Postprint 16 p, 719.6 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados