Highly Bi-doped Cu thin films with large spin-mixing conductance
Ruiz-Gómez, Sandra (Universidad Complutense de Madrid. Departamento de Física de Materiales)
Serrano, Aída (SpLine)
Guerrero, Rubén (Instituto Madrileño de Estudios Avanzados)
Muñoz, Manuel (Instituto de Micro y Nanotecnología)
Lucas del Pozo, Irene (Universidad de Zaragoza)
Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró)
Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró)
Marco, José F. (Instituto de Química Física "Rocasolano")
Amado, Mario (University of Cambridge)
McKenzie-Sell, Lauren (University of Cambridge)
Di Bernardo, Angelo (University of Cambridge)
Robinson, Jason W. A. (University of Cambridge)
González Barrio, Miguel Ángel (Unidad Asociada IQFR)
Mascaraque, Arantzazu (Universidad Complutense de Madrid. Departamento de Física de Materiales)
Pérez, Lucas (Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia)

Fecha:	2018
Resumen:	The spin Hall effect (SHE) provides an efficient tool for the production of pure spin currents, essentially for the next generation of spintronics devices. Giant SHE has been reported in Cu doped with 0. 5% Bi grown by sputtering, and larger values are predicted for larger Bi doping. In this work, we demonstrate the possibility of doping Cu with up to 10% of Bi atoms without evidence of Bi surface segregation or cluster formation. In addition, YIG/BiCu structures have been grown, showing a spin mixing conductance larger that the one shown by similar Pt/YIG structures, reflecting the potentiality of these new materials.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2014-52477-C5 Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2017-87072-C4 Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2015-64110-C2-2-P Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2016-0686
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Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Bi-doped ; Bi-doping ; Cluster formations ; Cu thin film ; Cu-doped ; Large spin ; Spin currents ; Spintronics device
Publicado en:	APL materials, Vol. 6, Issue 10 (October 2018) , art. 101107, ISSN 2166-532X

DOI: 10.1063/1.5049944

9 p, 1.8 MB

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