PbZrTiO3 ferroelectric oxide as an electron extraction material for stable halide perovskite solar cells
Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Xie, Haibing (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Wang, Zaiwei (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Kim, Hui-Seon (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Shirley, Ian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Turren-Cruz, Silver-Hamill (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Morales Melgares, Anna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Saliba, Benedicte (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Tanenbaum, David M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Saliba, Michael (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Zakeeruddin, Shaik Mohammed (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Grätzel, Michael (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Hagfeldt, Anders (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Lira-Cantu, Monica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Fecha:	2019
Resumen:	State-of-the-art halide perovskite solar cells employ semiconductor oxides as electron transport materials. Defects in these oxides, such as oxygen vacancies (O ), act as recombination centres and, in air and UV light, reduce the stability of the solar cell. Under the same conditions, the PbZrTiO ferroelectric oxide employs O for the creation of defect-dipoles responsible for photo-carrier separation and current transport, evading device degradation. We report the application of PbZrTiO as the electron extraction material in triple cation halide perovskite solar cells. The application of a bias voltage (poling) up to 2 V, under UV light, is a critical step to induce charge transport in the ferroelectric oxide. Champion cells result in power conversion efficiencies of ∼11% after poling. Stability analysis, carried out at 1-sun AM 1. 5 G, including UV light in air for unencapsulated devices, shows negligible degradation for hours. Our experiments indicate the effect of ferroelectricity, however alternative conducting mechanisms affected by the accumulation of charges or the migration of ions (or the combination of them) cannot be ruled out. Our results demonstrate, for the first time, the application of a ferroelectric oxide as an electron extraction material in efficient and stable PSCs. These findings are also a step forward in the development of next generation ferroelectric oxide-based electronic and optoelectronic devices.
Ayudas:	European Commission 687008 European Commission 665667 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295 Ministerio de Economía y Competitividad ENE2016-79282-C5-2-R Ministerio de Economía y Competitividad CTQ2016-81911-REDT Ministerio de Economía y Competitividad ENE2015-74275-JIN Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-329
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Conducting mechanism ; Device degradation ; Electron extraction ; Electron transport materials ; Ferroelectric oxides ; Power conversion efficiencies ; Recombination centres ; Semiconductor oxides
Publicado en:	Sustainable energy & fuels, Vol. 3, Issue 2 (February 2019) , p. 382-389, ISSN 2398-4902

DOI: 10.1039/c8se00451j

9 p, 2.3 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados