A First Evaluation of Thick Oxide 3C-SiC MOS Capacitors Reliability

Informació:
Discussió (0)
Estadístiques d'ús

A First Evaluation of Thick Oxide 3C-SiC MOS Capacitors Reliability - Li, Fan (University of Warwick) ; Mawby, Philip (University of Warwick) ; Song, Qiu (University of Warwick) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Shah, Vishal (University of Warwick) ; Sharma, Yogesh (Dynex Semiconductor Ltd.) ; Hamilton, Dean P. (De Montfort University) ; Fisher, Craig (University of Warwick) ; Gammon, Peter (University of Warwick) ; Jennings, M. R. (Swansea University)

Comentaris (0) | Ressenyes (0)

Sigueu el primer a escriure una ressenya d'aquest document.

Afegiu la vostra ressenya

Valoreu aquest article:

Doneu un títol a la vostra ressenya:

Escriviu la vostra ressenya:

Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.

Registres semblants