Impact of contact overlap on transconductance and noise in organic electrochemical transistors
Polyravas, Anastasios G. (University of Cambridge. Department of Engineering)
Curto, Vicenzo Fabio (University of Cambridge. Department of Engineering)
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Malliaras, George (University of Cambridge. Department of Engineering)

Fecha:	2019
Resumen:	Organic electrochemical transistors (OECTs) from poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) are used as amplifying transducers for bioelectronics. Although the impact on performance of device geometry parameters such as channel area and thickness has been widely explored, the overlap between the semiconductor film and the source and drain contacts has not been considered. Here we vary this overlap and explore its impact on transconductance and noise. We show that increasing contact overlap does not alter the magnitude of the steady-state transconductance but it does decreases the cut-off frequency. Noise was found to be independent of contact overlap and to vary according to the charge noise model. The results show that high-quality contacts can be established in PEDOT:PSS OECTs with minimal overlap.
Ayudas:	European Commission 732032
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Organic electrochemical transistors ; Transconductance ; Noise
Publicado en:	Flexible and printed electronics, Vol. 4, Núm. 4 (December 2019) , art. 44003, ISSN 2058-8585

DOI: 10.1088/2058-8585/ab4dc4

7 p, 1.0 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados