Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride : Radio-frequency stability as a limiting factor - Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Martín, María J (Universidad de Salamanca) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca) ; Li, Changfeng (Aalto University) ; Kim, Wonjae (Aalto University) ; Riikonen, Juha (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)