Fern-like rGO/BiVO4 hybrid nanostructures for high-energy symmetric supercapacitor
Patil, Santosh S. (Shivaji University. Department of Chemistry)
Dubal, Deepak P. 
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Deonikar, Virendrakumar G. 
(Centre for Materials for Electronics Technology (Pune, Índia))
Tamboli, Mohaseen S. 
(Centre for Materials for Electronics Technology (Pune, Índia))
Ambekar, Jalindar D. 
(Centre for Materials for Electronics Technology (Pune, Índia))
Gómez-Romero, Pedro 1959-

(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Kolekar, Sanjay S.
(Shivaji University. Department of Chemistry)
Kale, Bharat B.
(Centre for Materials for Electronics Technology (Pune, Índia))
Patil, Deepak R. (Centre for Materials for Electronics Technology (Pune, Índia))
| Fecha: |
2016 |
| Resumen: |
Herein, we demonstrate the synthesis of rGO/BiVO hybrid nanostructures by facile hydrothermal method. Morphological studies reveal that rGO sheets are embedded in the special dendritic fern-like structures of BiVO. The rGO/BiVO hybrid architecture shows the way to a rational design of supercapacitor, since these structures enable easy access of electrolyte ions by reducing internal resistance. Considering the unique morphological features of rGO/BiVO hybrid nanostructures, their supercapacitive properties were investigated. The rGO/BiVO electrode exhibits a specific capacitance of 151 F/g at the current density of 0. 15 mA/cm. Furthermore, we have constructed rGO/BiVO symmetric cell which exhibits outstanding volumetric energy density of 1. 6 mW h/cm (33. 7 W h/kg) and ensures rapid energy delivery with power density of 391 mW/cm (8. 0 kW/kg). The superior properties of symmetric supercapacitor can be attributed to the special dendritic fern-like BiVO morphology and intriguing physicochemical properties of rGO. |
| Ayudas: |
Ministerio de Economía y Competitividad MAT2015-68394-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1505
|
| Derechos: |
Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.  |
| Lengua: |
Anglès |
| Documento: |
Article ; recerca ; Versió sotmesa a revisió |
| Publicado en: |
ACS applied materials & interfaces, Vol. 8, Issue 46 (November 2016) , p. 31602-31610, ISSN 1944-8252 |
DOI: 10.1021/acsami.6b08165
El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación >
Documentos de los grupos de investigación de la UAB >
Centros y grupos de investigación (producción científica) >
Ciencias >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2025-02-11, última modificación el 2025-03-27