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12 p, 755.5 KB Spin transport in dangling-bond wires on doped H-passivated Si(100) / Kepenekian, Mikaël (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Lorente, Nicolás (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
New advances in single-atom manipulation are leading to the creation of atomic structures on H-passivated Si surfaces with functionalities important for the development of atomic and molecular based technologies. [...]
2014 - 10.1088/0957-4484/25/46/465703
Nanotechnology, Vol. 25, Issue 46 (November 2014) , art. 465703  

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