Drift-diffusion model for single layer transition metal dichalcogenide field-effect transistors - Resultados de la búsqueda

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Drift-diffusion model for single layer transition metal dichalcogenide field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A physics-based model for the surface potential and drain current for monolayertransition metal dichalcogenide (TMD) field-effect transistor is presented. Taking into account the two-dimensional (2D) density-of-states of the atomic layer thick TMD and its impact on the quantum capacitance, a model for the surface potential is presented. [...]
2012 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1063/1.4770313
Applied physics letters, Vol. 101, Issue 24 (December 2012) , p. 243501/1-243501/4

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