Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Simulación TCAD
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.03 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats
Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
238 p, 3.5 MB Diseño, fabricación y optimización de detectores con multiplicación (LGAD) para experimentos de física de altas energías / Fernández Martínez, Pablo ; Flores Gual, David, dir. ; Hidalgo Villena, Salvador, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Cuando los dispositivos semiconductores, especialmente los basados en control por puerta MOS, se someten a una dosis elevada de radiación, sus características eléctricas se deterioran rápidamente. [...]
Semiconductor devices, especially those based on MOS gate control, subjected to a high dose of radiation, suffer from a fast deterioration of their electrical characteristics. Furthermore, the miniaturization and the thinning of the different layers used in device fabrication, enhance the radiation sensitivity. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem