CoFe2O4/buffer layer ultrathin heterostructures on Si(001)
Bachelet, Romain (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Coux, P. de (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales)
Warot-Fonrose, Bénédicte (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales)
Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)

Fecha:	2011
Resumen:	Epitaxial films of ferromagnetic CoFe2O4 (CFO) were grown by pulsed laser deposition on Si(001) buffered with ultrathin yttria-stabilized zirconia (YSZ) layers in a single process. Reflection high-energy electron diffraction was used to monitor in real time the crystallization of YSZ, allowing the fabrication of epitaxial YSZ buffers with thickness of about 2 nm. CFO films, with thicknesses in the 2-50 nm range were subsequently deposited. The magnetization of the CFO films is close to the bulk value. The ultrathin CFO/YSZ heterostructures have very flat morphology (0. 1 nm roughness) and thin interfacial SiOx layer (about 2 nm thick) making them suitable for integration in tunnel (e. g. , spin injection) devices.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2011-29269-C03 Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2008-06761-C03 Ministerio de Ciencia e Innovación CSD2007-00041 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-00376
Nota:	This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
Derechos:	Tots els drets reservats.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Pel·lícules fines
Publicado en:	Journal of applied physics, Vol. 110, Núm. 8 (Oct. 2011) , p. 086102/1-086102/3, ISSN 1089-7550

DOI: 10.1063/1.3651386

3 p, 985.5 KB

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