![]() |
|||||||||||||||
![]() |
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español |
Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > CoFe2O4/buffer layer ultrathin heterostructures on Si(001) |
Data: | 2011 |
Resum: | Epitaxial films of ferromagnetic CoFe2O4 (CFO) were grown by pulsed laser deposition on Si(001) buffered with ultrathin yttria-stabilized zirconia (YSZ) layers in a single process. Reflection high-energy electron diffraction was used to monitor in real time the crystallization of YSZ, allowing the fabrication of epitaxial YSZ buffers with thickness of about 2 nm. CFO films, with thicknesses in the 2-50 nm range were subsequently deposited. The magnetization of the CFO films is close to the bulk value. The ultrathin CFO/YSZ heterostructures have very flat morphology (0. 1 nm roughness) and thin interfacial SiOx layer (about 2 nm thick) making them suitable for integration in tunnel (e. g. , spin injection) devices. |
Ajuts: | Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2011-29269-C03 Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2008-06761-C03 Ministerio de Ciencia e Innovación CSD2007-00041 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-00376 |
Nota: | This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
Drets: | Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets. |
Llengua: | Anglès |
Document: | Article ; recerca ; Versió publicada |
Matèria: | Pel·lícules fines |
Publicat a: | Journal of applied physics, Vol. 110, Núm. 8 (Oct. 2011) , p. 086102/1-086102/3, ISSN 1089-7550 |
3 p, 985.5 KB |