Nondestructive multlple breakdown events in very thin SI02 films
Suñé, Jordi, 1963-
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Farrés i Berenguer, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Placencia Millan, Iolanda (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín, Ferran, (Martín Antolín)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
American Physical Society
Data: |
1989 |
Resum: |
Several breakdown events and multilevel current fluctuations have been observed when ultrathin SiO2 films are subjected to constant-voltage stresses. These breakdown events are sometimes reversible, and consist in a local change of conduction mechanism. This reversibility shows that no catastrophic thermal effects occur, and that the breakdown is only a local switching between two oxide conduction states of very different conductivities. |
Drets: |
Tots els drets reservats. |
Llengua: |
Anglès |
Document: |
Article ; recerca ; Versió publicada |
Matèria: |
Thermal conduction ;
Thermal conductivity ;
Thermal effects |
Publicat a: |
Applied physics letters, Vol. 55, Issue 2 (July 1989) , p. 128-130, ISSN 1077-3118 |
DOI: 10.1063/1.102396
El registre apareix a les col·leccions:
Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2014-02-28, darrera modificació el 2022-11-02