Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/116308
Nondestructive multlple breakdown events in very thin SI02 films
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Farrés i Berenguer, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Placencia Millan, Iolanda (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
American Physical Society

Data: 1989
Resum: Several breakdown events and multilevel current fluctuations have been observed when ultrathin SiO2 films are subjected to constant‐voltage stresses. These breakdown events are sometimes reversible, and consist in a local change of conduction mechanism. This reversibility shows that no catastrophic thermal effects occur, and that the breakdown is only a local switching between two oxide conduction states of very different conductivities.
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; publishedVersion
Matèria: Thermal conduction ; Thermal conductivity ; Thermal effects
Publicat a: Applied Physics Letters, Vol. 55, Issue 2 (July 1989) , p. 128-130, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.102396


4 p, 503.9 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2014-02-28, darrera modificació el 2016-06-04



   Favorit i Compartir