Experimental verification of memristor-based material implication NAND operation
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2019
Resum:	Memristors are being considered as promising devices for highly dense memory systems as well as the potential basis of new computational paradigms. In this scenario, and in relation with data processing, one of the more specific and differential logic functions is the material implication logic also named as IMPLY logic. Many papers have been published in this framework but few of them are related with experimental works using real memristor devices. In the paper authors show the verification of the IMPLY function by using Ni/HfO2/Si manufactured devices and laboratory measurements. The proper behavior of the IMPLY structure (2 memristors) has been shown. The paper also verifies the proper operation of a two-step IMPLY-based NAND gate implementation, showing the electrical behavior of the circuit in a cycling operation. A new procedure to implement a NAND gate that requires only one step is experimentally shown as well.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1/2-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	IMPLY function ; Material implication ; Memristive circuits ; Memristors ; NAND gate implementation ; Resistive switching
Publicat a:	IEEE Transactions on Emerging Topics in Computing, Vol. 7, issue 4 (Oct.-Dec. 2019) , p. 545-552, ISSN 2168-6750

DOI: 10.1109/TETC.2017.2760929

Postprint 9 p, 783.3 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats