Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages
Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2023
Abstract:	Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. This study presents such analysis in scaled FD-SOI devices under various gate and drain voltages, ranging from near-threshold to nominal conditions. The combined effect of RTN and BTI is also modeled in a defect-centric context, and the main impact of the different bias conditions is discussed.
Grants:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32 Agencia Estatal de Investigación BES-2017-081462
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	Bias temperature instability ; FD-SOI ; Random telegraph noise ; Reliability ; Variability
Published in:	Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2023.108735

Available from: 2025-11-30 Postprint

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles