Home > Articles > Published articles > Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages > Comments
 
 
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages - Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
 
Comments (0) | Reviews (0)
Start a discussion about any aspect of this document.

 Subscribe to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Add comment


Once logged in, authorized users can also attach files.
Note: you have not defined your nickname.
N/D will be displayed as the author of this comment.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Similar records

UAB Digital Repository of Documents :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.6
Maintained by ddd.bib@uab.cat  :: Metadata license:
Working with