Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/45730
Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta
Sureda i Masmartí, Carles
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria

Data: 2007
Descripció: 26 p.
Resum: En aquest treball s'implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l'equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. El MOSFET de doble porta asimètric presenta una gran flexibilitat en el disseny de la tensió llindar i del corrent OFF. El model analític reprodueix les característiques DC del DG-MOSFET de canal llarg i és la base per construir models circuitals tipus SPICE.
Resum: En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. El MOSFET de doble puerta asimétrico presenta una gran flexibilidad en el diseño de la tensión umbral y de la corriente OFF. El modelo analítico reproduce las características DC del DG-MOSFET de canal largo y es la base para construir modelos circuitales tipo SPICE.
Resum: In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. The analytical model reproduces characteristics DC of the long channel DG-MOSFET and is the base to construct to SPICE circuit models.
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús Creative Commons
Llengua: Català.
Document: bachelorThesis
Matèria: Transistors d'efecte de camp de metall òxid semiconductor

Adreça alternativa: http://hdl.handle.net/2072/5389


Projecte
26 p, 295.9 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > Enginyeria. Projectes de final de carrera > Enginyeria Electrònica. PFC

 Registre creat el 2009-07-15, darrera modificació el 2016-06-11



   Favorit i Compartir