Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta
Sureda i Masmartí, Carles
Jiménez Jiménez, David ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona.
Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
Universitat Autònoma de Barcelona.
Escola d'Enginyeria
Data: |
2007 |
Descripció: |
26 p. |
Resum: |
En aquest treball s'implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l'equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. El MOSFET de doble porta asimètric presenta una gran flexibilitat en el disseny de la tensió llindar i del corrent OFF. El model analític reprodueix les característiques DC del DG-MOSFET de canal llarg i és la base per construir models circuitals tipus SPICE. |
Resum: |
En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. El MOSFET de doble puerta asimétrico presenta una gran flexibilidad en el diseño de la tensión umbral y de la corriente OFF. El modelo analítico reproduce las características DC del DG-MOSFET de canal largo y es la base para construir modelos circuitales tipo SPICE. |
Resum: |
In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. The analytical model reproduces characteristics DC of the long channel DG-MOSFET and is the base to construct to SPICE circuit models. |
Drets: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. ![Creative Commons](/img/licenses/by-nc-nd.ico) |
Llengua: |
Català |
Col·lecció: |
Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica |
Document: |
Treball final de grau |
Matèria: |
Transistors d'efecte de camp de metall òxid semiconductor |
El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca >
Treballs de recerca i projectes de final de carrera >
Enginyeria. TFM
Registre creat el 2009-07-15, darrera modificació el 2024-05-26