Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Petzold, S.
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
14 p, 7.1 MB Fast Fitting of the Dynamic Memdiode Model to the Conduction Characteristics of RRAM Devices Using Convolutional Neural Networks / Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Piros, Eszter (Technische Universität Darmstadt) ; Kaiser, Nico (Technische Universität Darmstadt) ; Vogel, Tobias (Technische Universität Darmstadt) ; Petzold, Stephan (Technische Universität Darmstadt) ; Gehrunger, Jonas (Technische Universität Darmstadt) ; Oster, Timo (Technische Universität Darmstadt) ; Hochberger, Christian (Technische Universität Darmstadt) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alff, Lambert (Technische Universität Darmstadt) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this paper, the use of Artificial Neural Networks (ANNs) in the form of Convolutional Neural Networks (AlexNET) for the fast and energy-efficient fitting of the Dynamic Memdiode Model (DMM) to the conduction characteristics of bipolar-type resistive switching (RS) devices is investigated. [...]
2022 - 10.3390/mi13112002
Micromachines, Vol. 13, Issue 11 (November 2022) , art 2002  
Registre complet - Creative Commons
2.
9 p, 2.6 MB Analysis and simulation of the multiple resistive switching modes occurring in HfO x -based resistive random access memories using memdiodes / Petzold, S. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sharath, S. U. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Vogel, Tobias (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Piros, E. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science.) ; Kaiser, Nico (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Eilhardt, R. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Zintler, A. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Molina-Luna, L. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alff, Lambert (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science)
In this work, analysis and simulation of all experimentally observed switching modes in hafnium oxide based resistive random access memories are carried out using a simplified electrical conduction model. [...]
2019 - 10.1063/1.5094864
Journal of applied physics, Vol. 125, issue 23 (June 2019) , art. 234503  
Registre complet - Creative Commons

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Petzold, Stephan
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem