Página principal > Documentos de investigación > Tesis doctorales > Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures > Reseñas
 
 
Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures - Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
 
Comentarios (0) | Reseñas (0)
Sea el primero a escribir una reseña de este documento.

Añada su reseña

Valore este artículo:
Dé un título a su reseña:
Escriba su reseña:
Atención: todavía no ha definido su alias.
N/D, será el que se muestre como autor de este comentario
Registros similares

Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos