Web of Science: 2 citations, Scopus: 1 citations, Google Scholar: citations
Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bersuker, G. (Sematech)
Cordes, A. (Sematech)

Date: 2015
Abstract: The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. In this study, the CAFM technique is employed for identification and analysis of nanoscale defects, in particular, Threading Dislocations (TD), Stacking faults (SF) and Anti-phase Boundaries (APB), in III-V materials grown over silicon wafers.
Note: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Note: Número d'acord de subvenció EC/ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R
Note: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Rights: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Language: Anglès.
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Subject: High mobility substrates ; III-V semiconductors ; Threading dislocations ; CAFM
Published in: Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.058


Post-print
4 p, 448.3 KB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (scientific output) > Engineering > The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC)
Articles > Research articles
Articles > Published articles

 Record created 2015-08-03, last modified 2018-10-28



   Favorit i Compartir