Web of Science: 2 citas, Scopus: 1 citas, Google Scholar: citas
Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bersuker, G. (Sematech)
Cordes, A. (Sematech)

Fecha: 2015
Resumen: The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. In this study, the CAFM technique is employed for identification and analysis of nanoscale defects, in particular, Threading Dislocations (TD), Stacking faults (SF) and Anti-phase Boundaries (APB), in III-V materials grown over silicon wafers.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció EC/ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Derechos: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: High mobility substrates ; III-V semiconductors ; Threading dislocations ; CAFM
Publicado en: Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.058


Post-print
4 p, 448.3 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2015-08-03, última modificación el 2018-10-28



   Favorit i Compartir