![]() |
|||||||||||||||
![]() |
Buscar | Enviar | Ayuda | Servicio de Bibliotecas | Sobre el DDD | Català English Español |
Página principal > Artículos > Artículos publicados > Monitoring defects in III-V materials : |
Fecha: | 2015 |
Resumen: | The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. In this study, the CAFM technique is employed for identification and analysis of nanoscale defects, in particular, Threading Dislocations (TD), Stacking faults (SF) and Anti-phase Boundaries (APB), in III-V materials grown over silicon wafers. |
Ayudas: | Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R European Commission ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384 |
Derechos: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. |
Lengua: | Anglès |
Documento: | Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Materia: | High mobility substrates ; III-V semiconductors ; Threading dislocations ; CAFM |
Publicado en: | Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179, ISSN 0167-9317 |
Post-print 4 p, 448.3 KB |