Home > Articles > Published articles > Resistive switching in hafnium dioxide layers : > Comments
 
 
Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries - Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
 
Comments (0) | Reviews (0)
Start a discussion about any aspect of this document.

 Subscribe to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Add comment


Once logged in, authorized users can also attach files.
Note: you have not defined your nickname.
N/D will be displayed as the author of this comment.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Similar records

UAB Digital Repository of Documents :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.6
Maintained by ddd.bib@uab.cat  :: Metadata license:
Working with