Electronic structure of 2H-NbSe₂ single-layers in the CDW state
Silva-Guillén, Jose Angel (Fundación IMDEA Nanociencia)
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Guinea, Francisco (Fundación IMDEA Nanociencia)
Canadell Casanova, Enric 1950- (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)

Fecha:	2016
Resumen:	Adensity functional theory study of NbSe₂"Qsingle-layers in the normal non-modulated and the 3xQ3 CDW states is reported. Weshow that, in the single layer, the CDW barely affects the Fermi surface of the system, thus ruling out a nesting mechanism as the driving force for the modulation. The CDW stabilizes levels lying around 1. 35 eV below the Fermi level within the Se-based valence band but having a substantial Nb-VNb bonding character. The absence of interlayer interactions leads to the suppression of the pancake-like portion of the bulk Fermi surface in the single-layer. Weperform scanning tunneling microscopy simulations and find that the images noticeably change with the sign and magnitude of the voltage bias. The atomic corrugation of the Se sublayer induced by the modulation plays a primary role in leading to these images, but the electronic reorganization also has an important contribution. The analysis of the variation of these images with the bias voltage does not support a Fermi surface nesting mechanism for the CDW. It is also shown that underlying graphene layers (present in some of the recent experimental work) do not modify the conduction band, but do affect the shape of the valence band of NbSe₂ single-layers. The relevance of these results in understanding recent physical measurements for NbSe₂ single-layers is discussed.
Ayudas:	European Commission 290846 Ministerio de Economía y Competitividad FIS2015-64886-C5-4-P Ministerio de Economía y Competitividad FIS2015-64886-C5-3-P Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2015-0496 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-301
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Charge density wave ; Density functional theory ; Single-layer ; Transition metal dichalcogenides
Publicado en:	2D materials, Vol. 3, no. 3 (Sep. 2016) , art. 35028, ISSN 2053-1583

DOI: 10.1088/2053-1583/3/3/035028

11 p, 3.4 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados