Web of Science: 50 cites, Scopus: 49 cites, Google Scholar: cites,
Electronic structure of 2H-NbSe₂ single-layers in the CDW state
Silva-Guillén, Jose Angel (Fundación IMDEA Nanociencia)
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Guinea, Francisco (Fundación IMDEA Nanociencia)
Canadell Casanova, Enric 1950- (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)

Data: 2016
Resum: Adensity functional theory study of NbSe₂"Qsingle-layers in the normal non-modulated and the 3xQ3 CDW states is reported. Weshow that, in the single layer, the CDW barely affects the Fermi surface of the system, thus ruling out a nesting mechanism as the driving force for the modulation. The CDW stabilizes levels lying around 1. 35 eV below the Fermi level within the Se-based valence band but having a substantial Nb-VNb bonding character. The absence of interlayer interactions leads to the suppression of the pancake-like portion of the bulk Fermi surface in the single-layer. Weperform scanning tunneling microscopy simulations and find that the images noticeably change with the sign and magnitude of the voltage bias. The atomic corrugation of the Se sublayer induced by the modulation plays a primary role in leading to these images, but the electronic reorganization also has an important contribution. The analysis of the variation of these images with the bias voltage does not support a Fermi surface nesting mechanism for the CDW. It is also shown that underlying graphene layers (present in some of the recent experimental work) do not modify the conduction band, but do affect the shape of the valence band of NbSe₂ single-layers. The relevance of these results in understanding recent physical measurements for NbSe₂ single-layers is discussed.
Ajuts: European Commission 290846
Ministerio de Economía y Competitividad FIS2015-64886-C5-4-P
Ministerio de Economía y Competitividad FIS2015-64886-C5-3-P
Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2015-0496
Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-301
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria: Charge density wave ; Density functional theory ; Single-layer ; Transition metal dichalcogenides
Publicat a: 2D Materials, Vol. 3, no. 3 (Sep. 2016) , art. 35028, ISSN 2053-1583

DOI: 10.1088/2053-1583/3/3/035028


11 p, 3.4 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2019-06-03, darrera modificació el 2023-03-09



   Favorit i Compartir